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CMBT5551
厂商型号

CMBT5551

功能描述

SILICON NPN HIGH-VOLTAGE TRANSISTOR

文件大小

66.25 Kbytes

页面数量

3

生产厂商 Continental Device India Limited
企业简称

CDIL

中文名称

Continental Device India Limited官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-10-31 20:00:00

CMBT5551规格书详情

SILICON N–P–N HIGH–VOLTAGE TRANSISTOR

N–P–N transistor

SOT-23 Formed SMD Package

产品属性

  • 型号:

    CMBT5551

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT SOT23,NPN,0.6A,160V HighVolt

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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