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ENA2222	文件：325.47 Kbytes Page：15 Pages	5:1MicroUSBSwitch	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FFB2222A	文件：88.62 Kbytes Page：7 Pages	NPNMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FFB2222A	文件：61.84 Kbytes Page：5 Pages	NPNMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FFB2222AD	文件：412.71 Kbytes Page：7 Pages	DualGeneralPurposeSwitchingTransistors	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FJX2222A	文件：71.23 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTransistor Features •GeneralPurposeTransistor •Collector-EmitterVoltage:VCEO=40V •CollectorDissipation:PC(max)=325mW	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FJX2222A	文件：237.38 Kbytes Page：7 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor Features •General-PurposeTransistor •Collector-EmitterVoltage:VCEO=40V	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FJX2222ATF	文件：237.38 Kbytes Page：7 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor Features •General-PurposeTransistor •Collector-EmitterVoltage:VCEO=40V	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FMB2222A	文件：61.84 Kbytes Page：5 Pages	NPNMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FMB2222A	文件：88.62 Kbytes Page：7 Pages	NPNMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FMBT2222	文件：601.37 Kbytes Page：9 Pages	600mASiliconNPNEpitaxialPlanarTransistor 600mASiliconNPNEpitaxialPlanarTransistor Features •Highcollector-emitterbreakdienvoltage. (BVCEO=40V@IC=10mA) •Smallloadswitchtransistorwithhighgainandlow staurationvoltage,isdesignedforgeneralpurpose amflifierandswitchingapplicationsatcollectorcurren	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA

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详细参数

型号：
CMBT2222A
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN,0.6A,40V GenPur
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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