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LL4150	文件：188.81 Kbytes Page：2 Pages	SMALLSIGNALSWITCHINGDIODE VOLTAGERANGE:50V CURRENT:300mA FEATURES ◇Siliconepitaxialplanardiode ◇Highspeedswitchingdiode ◇500mWpowerdissipation MECHANICALDATA ◇Case:MINI-MELF,glasscase ◇Polarity:Colorbanddenotescathode ◇Weight:Approx0.031grams	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
LL4150	文件：90.05 Kbytes Page：2 Pages	HIGH-SPEEDSWITCHINGDIODE FEATURES ●Highreliability ●Highforwardcurrentcapability APPLICATIONS ●Highspeedswitchandgeneralpurposeuseincomputerandindustrialapplications	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
LL4150	文件：136.28 Kbytes Page：5 Pages	SmallSignalFastSwitchingDiode Features •SiliconEpitaxialPlanarDiodes •Lowforwardvoltagedrop •Highforwardcurrentcapability •Lead(Pb)-freecomponent •ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC Applications •Highspeedswitchandgeneralpurposeuseincomputerandindustrialapplication	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
LL4150	文件：32.299 Kbytes Page：2 Pages	HIGHSPEEDSWITCHINGDIODE FEATURES: •Highswitchingspeed:max.4ns •Continuousreversevoltage:max.50V •Repetitivepeakreversevoltage:max.75V •Repetitivepeakforwardcurrent:max.600mA •Pb/RoHSFree MECHANICALDATA: Case:MiniMELFGlassCase(SOD-80) Weight:approx.0.05g	SYNSEMI SynSemi，Inc.	SYNSEMI
LL4150	文件：55.29 Kbytes Page：1 Pages	Small-SignalDiodeFastSwitchingDiode Features ◆SiliconEpitaxialPlanarDiode ◆Forgeneralpurposeandswitching ◆ThisdiodeisalsoavailableinothercasestylesincludingtheDO-35casewiththetypedesignation1N4150. MechanicalData ◆Case:MiniMELFGlassCase(SOD-80) ◆Weight:approx.0.05g ◆CathodeBandColo	Good-Ark GOOD-ARK Electronics	Good-Ark
LL4150	文件：85.48 Kbytes Page：3 Pages	FASTSWITCHINGSURFACEMOUNTDIODES VOLTAGE50VoltsPOWER500mWatts FEATURES •FastswitchingSpeed. •SurfaceMountPackageIdeallySuitedForAutomaticInsertion. •SiliconEpitaxalPlanarConstruction. •IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives MECHANICALDATA •Case:MiniMelf,Glass •Terminals:Solderableper	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
LL4150	文件：96.79 Kbytes Page：2 Pages	UltrafastSwitchingSurfaceMountSi-PlanarDiodes •Nominalcurrent150...300mA •Repetitivepeakreversevoltage50…100V •GlasscaseMiniMELFSOD-80C •Weightapprox.0.04g •Standardpackagingtapedandreeled	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
LL4150	文件：63.28 Kbytes Page：2 Pages	High-speedswitchingdiode Features 1.Smallsurfacemountingtype 2.Highreliability 3.Highforwardcurrentcapability Applications Highspeedswitchandgeneralpurposeuseincomputerandindustrialapplications	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
LL4150	文件：276.977 Kbytes Page：1 Pages	75VDetectionswitchtube	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE
LL4150	文件：358.17 Kbytes Page：2 Pages	HIGHSPEEDSWITCHINGDIODE	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC

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详细参数

型号：
CMBD4150
制造商：
CDIL
制造商全称：
Continental Device India Limited
功能描述：
SILICON PLANAR EPITAXIAL HIGH SPEED DIODE

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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