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CPDH3V3-HF	文件：468.1 Kbytes Page：4 Pages	SMDESDProtectionDiode Features -Peakpowerdissipation:400W(8/20μs). -IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ns). -IEC61000-4-2(ESD)±15kV(air),±8kV(contact). -ProtectsonedirectionalI/Oline. -Lowcapacitance. -Workingvoltages:3.3V -Lowleakagecurrent. -Lowclampingvoltage.	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CPDH3V3MUA-HF	文件：526.7 Kbytes Page：4 Pages	SMDESDProtectionDiode Features -IEC61000-4-2(ESD)±30kV(air/contact) IEC61000-4-4(EFT)80A(5/50ns) IEC61000-4-5(Lightning)22A(8/20μs) -ProtectsoneI/Oorpowerline. -Lowclampingvoltage. -Lowleakagecurrent.	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CPDH3V3UA-HF	文件：95.86 Kbytes Page：4 Pages	SMDESDProtectionDiode Features -Lowclampingvoltage. -LowLeakagecurrent. -ProtectsoneI/Oline. -Workingvoltages:3.3V~36V.	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CPDH3V3UB-HF	文件：483.87 Kbytes Page：5 Pages	SMDESDProtectionDiode -Workingvoltages:2.5V~15V. -Lowleakagecurrent. -ProtectsonedirectionalI/Oline. -Lowclampingvoltage. -IEC61000-4-2Level4ESDprotection. Features	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CPDH3V3U-HF	文件：501.03 Kbytes Page：4 Pages	SMDESDProtectionDiode -Lowcapacitance:0.4pF(typical). -Lowleakagecurrent. -Lowclampingvoltage. Features IEC61000-4-2(ESD)±15kV(air),±8kV(contact) IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ns) -Transientprotectionforhigh-speeddatalines Cabledischargeevent(CDE) -Protectsonedata,controlline. -Ultr	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CPDH3V3UP	文件：167.93 Kbytes Page：4 Pages	SMDESDProtectionDiode Features IEC61000-4-2(ESD)±15kV(Contact),±20kV(Air). Workingvoltage:3.3V Lowleakagecurrent. Lowoperatingandclampingvoltages. Mechanicaldata Case:SOD-523standardpackage,moldedplastic. Terminals:Goldplated,solderableperMIL-STD-750,method2026. Mounti	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CPDH3V3UP-HF	文件：94.91 Kbytes Page：4 Pages	SMDESDProtectionDiode RoHSDevice HalogenFree Features -IEC61000-4-2Level4ESDprotection. -Workingvoltage:3.3V -Lowleakagecurrent. -Lowoperatingandclampingvoltages. Mechanicaldata -Case:SOD-523standardpackage,moldedplastic. -Terminals:SolderableperMIL-STD-750,method2026. -Marking	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CPDQ3V3-HF	文件：113.46 Kbytes Page：6 Pages	IEC61000-4-2Level4ESDprotection.	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CPDQ3V3U-HF	文件：110.61 Kbytes Page：6 Pages	SMDESDProtectionDiode RoHSDevice HalogenFree Features -IEC61000-4-2Level4ESDprotection. -ESDRatingofClass3(>16kV)perHumanBodyMode. -Lowbodyheight:0.017”(0.43mm) -LowLeakage Mechanicaldata -Epoxy:MeetsUL94V-0 -Case:0402/SOD-923Fsmalloutlineplasticpackage.moldedplastic. -Term	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CPDQC3V3A-HF	文件：332.98 Kbytes Page：4 Pages	1-CHANNELULTRALOWCAPACITANCEESDDIODE Features Ultralowleakage:nAlevel Operatingvoltage:3.3V Lowclampingvoltage Complieswithfollowingstandards: –IEC61000-4-2(ESD)immunitytest Airdischarge:±25kV Contactdischarge:±20kV –IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ns) –IEC61000-4-5(Lightning)4A(8/20μs) RoHSCompliant	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH

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详细参数

型号：
CMATVS3V3
功能描述：
TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 Transient Suppressor SMD
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
极性：
Bidirectional
击穿电压：
58.9 V
钳位电压：
77.4 V
峰值浪涌电流：
38.8 A
封装/箱体：
DO-214AB
最小工作温度：
- 55 C
最大工作温度：
+ 150 C

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