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CM75TU-24F	文件：127.82 Kbytes Page：4 Pages	Trench Gate Design Six IGBTMOD??75 Amperes/1200 Volts Description: Powerex IGBTMOD™ Modules are designed for use in switching applications. Each module consists of six IGBT Transistors in a three phase bridge configuration, with each transistor having a reverseconnected super-fast recovery free-wheel diode. All components and interconnects are isola 文件：127.82 Kbytes 页数：4 Pages	POWEREX	POWEREX
CM75TU-24F	文件：81.1 Kbytes Page：4 Pages	HIGH POWER SWITCHING USE HIGH POWER SWITCHING USE ● IC ..................................................................... 75A ● VCES ......................................................... 1200V ● Insulated Type ● 6-elements in a pack APPLICATION General purpose inverters & Servo controls, etc 文件：81.1 Kbytes 页数：4 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
CM75TU-24F_09	文件：119.22 Kbytes Page：4 Pages	HIGH POWER SWITCHING USE 文件：119.22 Kbytes 页数：4 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
CM75TU-24H	文件：118.46 Kbytes Page：4 Pages	IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE 文件：118.46 Kbytes 页数：4 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
CM75TU-24H	文件：76.22 Kbytes Page：4 Pages	Six IGBTMOD 75 Amperes/1200 Volts Description: Powerex IGBTMOD™ Modules are designed for use in switching applications. Each module consists of six IGBT Transistors in a three phase bridge configuration, with each transistor having a reverseconnected super-fast recovery free-wheel diode. All components and interconnects are isola 文件：76.22 Kbytes 页数：4 Pages	POWEREX	POWEREX
CM75TU-24H	文件：51.39 Kbytes Page：4 Pages	HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE ● IC..................................................................... 75A ● VCES ....................................................... 1200V ● Insulated Type ● 6-elements in a pack ● UL Recognized Yellow Card No. E80276 File No. E80271 APPLICATIO 文件：51.39 Kbytes 页数：4 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi

详细参数

型号：
CM75TU-24F
功能描述：
IGBT MOD 6PAC 1200V 75A F SER
RoHS：
是
类别：
半导体模块 >> IGBT
系列：
IGBTMOD™
标准包装：
10
系列：
GenX3™ IGBT
类型：
PT
配置：
单一电压 -
集电极发射极击穿（最大）：
600V Vge,
Ic时的最大Vce（开）：
1.4V @ 15V，100A 电流 -
集电极(Ic)（最大）：
430A 电流 -
集电极截止（最大）：
100µA Vce
时的输入电容(Cies)：
31nF @ 25V 功率 -
最大：
1000W
输入：
标准 NTC
热敏电阻：
无
安装类型：
底座安装
封装/外壳：
SOT-227-4，miniBLOC
供应商设备封装：
SOT-227B

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