选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市正纳电子有限公司7年
留言
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MITSUBISHIGBT模块 |
1020 |
09+ |
采购MITSUBISH模块请认准 正纳电子,知名企业品质有保障。 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
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650 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
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IGBT模块 |
15 |
23+ |
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深圳市英博尔电子有限公司4年
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MITSUBISHIMOUDLE |
6000 |
2年内 |
英博尔原装优质现货订货渠道商 |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
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8900 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
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模块 |
528 |
N/A |
专注原装正品现货特价中量大可定 |
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深圳市亿顺芯科技有限公司5年
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MITSUBISHImodule |
1525 |
专营功率模块,现货库存 |
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深圳市星佑电子有限公司16年
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MITSUBISIGBT |
77 |
8 |
全新进口原装绝对公司现货特价! |
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深圳市壹芯创科技有限公司12年
留言
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MISUBISHIIGBT |
3000 |
22+ |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
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100000 |
2019+ |
原盒原包装 可BOM配套 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司11年
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MITSUBISHIGBT |
15000 |
23+ |
一级代理原装现货。 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
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Mitsubishi Electric (三菱)N/A |
4550 |
2023+ |
全新原装正品 |
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浙江永芯科技有限公司4年
留言
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5000 |
23+ |
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保 |
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深圳市富芯乐电子科技有限公司9年
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1050 |
23+ |
全新原装现货特价销售,欢迎来电查询 |
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鑫勃源(上海北京 青岛)有限公司10年
留言
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MITSUBI主营模块 |
789 |
23+ |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
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MITSUBISHMODULE |
8513 |
专业模块 |
模块原装主营-可开原型号增税票 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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MITSUBISHMODULE |
8513 |
专业模块 |
模块原装主营-可开原型号增税票 |
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鑫勃源(上海北京 青岛)有限公司10年
留言
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MITSUBISHISOP-16 |
18000 |
23+ |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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MITSUBISHI/三菱 |
980 |
1950+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市鑫宇杨电子科技有限公司8年
留言
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MITSUBISHI/三菱MODULE |
45000 |
2022+ |
我司100%原装正品现货,现货众多欢迎加微信 |
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更多CM300DY-24A功能描述:IGBT MOD DUAL 1200V 300A A SER RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic时的最大Vce(开):1.4V @ 15V,100A 电流 - 集电极(Ic)(最大):430A 电流 - 集电极截止(最大):100µA Vce 时的输入电容(Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B
CM300DY-24H功能描述:IGBT MOD DUAL 1200V 300A H SER RoHS:否 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic时的最大Vce(开):1.4V @ 15V,100A 电流 - 集电极(Ic)(最大):430A 电流 - 集电极截止(最大):100µA Vce 时的输入电容(Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B
CM300DY-24NF功能描述:IGBT MOD DUAL 1200V 300A NF SER RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic时的最大Vce(开):1.4V @ 15V,100A 电流 - 集电极(Ic)(最大):430A 电流 - 集电极截止(最大):100µA Vce 时的输入电容(Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B
CM300DY-24NF_09制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE
CM300DY-24NFH制造商:Powerex Power Semiconductors 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
CM300DY-24S制造商:Powerex Power Semiconductors 功能描述:IGBT HALF BRIDGE 1200V 300A MOD 制造商:Powerex Power Semiconductors 功能描述:IGBT, MODULE, 1.2KV, 300A; Transistor Polarity:Dual N Channel; DC Collector Current:300A; Collector Emitter Voltage Vces:1.85V; Power Dissipation Pd:2.27kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Operating Temperature Min:-40C 制造商:Powerex Power Semiconductors 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
CM300DY-28H功能描述:IGBT MOD DUAL 1400V 300A H SER RoHS:否 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic时的最大Vce(开):1.4V @ 15V,100A 电流 - 集电极(Ic)(最大):430A 电流 - 集电极截止(最大):100µA Vce 时的输入电容(Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B