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CM200DY-28H	文件：50.46 Kbytes Page：4 Pages	HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE Description: Mitsubishi IGBT Modules are designed for use in switching applications. Each module consists of two IGBTs in a half-bridge configuration with each transistor having a reverse-connected super-fast recovery free-wheel diode. All components and interconnects are isolated from the heat 文件：50.46 Kbytes 页数：4 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
CM200DY-28H	文件：60.44 Kbytes Page：4 Pages	Dual IGBTMOD 200 Amperes/1400 Volts Description: Powerex IGBTMOD™ Modules are designed for use in switching applications. Each module consists of two IGBT Transistors in a half-bridge configuration with each transistor having a reverse connected super-fast recovery free-wheel diode. All components and interconnects are isolate 文件：60.44 Kbytes 页数：4 Pages	POWEREX	POWEREX
CM200DY-28H	文件：300 bytes Page：1 Pages	Dual IGBTMOD™ H-Series Module 200 Amperes/1400 Volts Description:\nPowerex IGBTMOD™ Modules are designed for use in switching applications. Each module consists of two IGBT Transistors in a half-bridge configuration with each transistor having a reverse connected super-fast recovery\nfree-wheel diode. All components and interconnects are isolated from	Powerex	Powerex
CM200E3Y	文件：0 bytes Page：0 Pages		三菱上传：深圳市勤思达科技有限公司	三菱
CM2020-00TR	文件：0 bytes Page：0 Pages	TSSOP38	ONSEMI/安森美上传：深圳市澳亿芯电子科技有限公司	ONSEMI/安森美

详细参数

型号：
CM200DY-28H
功能描述：
IGBT MOD DUAL 1400V 200A H SER
RoHS：
否
类别：
半导体模块 >> IGBT
系列：
IGBTMOD™
标准包装：
10
系列：
GenX3™ IGBT
类型：
PT
配置：
单一电压 -
集电极发射极击穿（最大）：
600V Vge,
Ic时的最大Vce（开）：
1.4V @ 15V，100A 电流 -
集电极(Ic)（最大）：
430A 电流 -
集电极截止（最大）：
100µA Vce
时的输入电容(Cies)：
31nF @ 25V 功率 -
最大：
1000W
输入：
标准 NTC
热敏电阻：
无
安装类型：
底座安装
封装/外壳：
SOT-227-4，miniBLOC
供应商设备封装：
SOT-227B

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