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CKP15N65L1规格书详情
描述 Description
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，简写IGBT）功率器件与VDMOS的差别在于n外延层下面不是n+层而是p+层。导通时在n型漂移去产生电导调制效应，大幅降低导通压降。\r
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CoolSemi的IGBT功率器件采用沟槽栅场截至设计，外延层厚度降低到60um，Vcesat达到1.45V，性能媲美Infineon IFX6。
技术参数
- 制造商编号
：CKP15N65L1
- 生产厂家
：CoolSemi
- IC(A)
：15
- VCE(sat)(V)@15V Typ
：1.7
- VCE(sat)(V)@15V Max
：2.4
- VGE(th)（V）
：6.8
- Package
：TO-220
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TAIYO |
2016+ |
SMD |
184000 |
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询价 | ||
MICRONAS/微开 |
23+ |
11 |
6500 |
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询价 | ||
TAIYO/太诱 |
2016 |
SMD |
13000 |
询价 | |||
TAIYO/太诱 |
2450+ |
6540 |
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询价 | |||
奇力新/TAIYO |
25+ |
SMD/SMA |
188600 |
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询价 | ||
TAIYO YUDEN |
14+ |
3957 |
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询价 | |||
TAIYO/太诱 |
23+ |
SMD |
10000 |
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询价 | ||
Taiyo Yuden |
25+ |
0603(1608 公制) |
9350 |
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询价 | ||
TAIYO/太诱 |
23+ |
0603 |
56100 |
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询价 | ||
MICRONAS/微开 |
23+ |
6500 |
11 |
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询价 |
