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CKP15N65L1中文资料IGBT数据手册CoolSemi规格书
CKP15N65L1规格书详情
描述 Description
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，简写IGBT）功率器件与VDMOS的差别在于n外延层下面不是n+层而是p+层。导通时在n型漂移去产生电导调制效应，大幅降低导通压降。
CoolSemi的IGBT功率器件采用沟槽栅场截至设计，外延层厚度降低到60um，Vcesat达到1.45V，性能媲美Infineon IFX6。
技术参数
- 制造商编号
：CKP15N65L1
- 生产厂家
：CoolSemi
- IC(A)
：15
- VCE(sat)(V)@15V Typ
：1.7
- VCE(sat)(V)@15V Max
：2.4
- VGE(th)（V）
：6.8
- Package
：TO-220
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