CJD122分立半导体产品晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
CJD122 |
| 参数属性 | CJD122 封装/外壳为TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个；产品描述：TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK |
| 功能描述 | SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS |
| 文件大小 |
425.46 Kbytes |
| 页面数量 |
2 页 |
| 生产厂商 | Central Semiconductor Corp |
| 企业简称 |
Central |
| 中文名称 | 美国中央半导体官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-9-21 11:10:00 |
CJD122规格书详情
CJD122属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个。美国中央半导体制造生产的CJD122晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
产品属性
更多- 产品编号：
CJD122 BK TIN/LEAD
- 制造商：
Central Semiconductor Corp
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
4V @ 80mA，8A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 4A，4V
- 频率 - 跃迁：
4MHz
- 工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 供应商器件封装：
DPAK
- 描述：
TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
CENTRAL |
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