压控占空周期振荡器电路图
如图所示电路以555定时器构成自激多谐振荡器。场效应管vtl做压控电阻(vvr)。通过改变源一栅间电压vgs,可以改变此jeft漏极(d)和源极(s)之间的电阻。两个耦合电容cl和c2可以避免电路其余部分的直流电压影响vtl。为了不使耦合电容影响555定时器的充、, 如图所示电路以555定时器构成自激多谐振荡器。场效应管vtl做压控电阻
如图所示电路以555定时器构成自激多谐振荡器。场效应管vtl做压控电阻(vvr)。通过改变源一栅间电压vgs,可以改变此jeft漏极(d)和源极(s)之间的电阻。两个耦合电容cl和c2可以避免电路其余部分的直流电压影响vtl。为了不使耦合电容影响555定时器的充、, 如图所示电路以555定时器构成自激多谐振荡器。场效应管vtl做压控电阻
如图所示为双d触发器式的vco。电路输出一个占空比50%的方波信号,而消耗的电流却很小。当输入电压为5~12v时,输出频率范围从20~70khz。首先假设ic-a的初始状态是q=低电平。此时vdl被关断,vi通过rl向cl充电。当cl上的电压达到一定电平时,ic-, 如图所示为双d触发器式的vco。电路输出一个占空比50%的方波信号,而
本压控振荡器如图所示。该压控信号vi由低通滤波器rl~r3、cl~c2向变容二极管vdl~vd3提供一个随频率及相位变化而变化的直流电压,该电压由电感l、电容c3、c4及变容二极管vdl~vd3和集成电路ic(cd4007)成vco(压控振荡器)的输出频率。 , 本压控振荡器如图所示。该压控信号vi由低通滤波器rl~r3、cl~c2
在高频电路中,信号分配上使用如图6.13所示的混合电路。所谓混合电路是实现特定点间决定的耦合,而其他的点都被绝缘。这里,对a、b、c的3点间,c→a及c→b信号通过,a→b及b→a间会得到大的隔离的混合电路进行实验。 图1使用于高频信号分配的混合电路 此, 在高频电路中,信号分配上使用如图6.13所示的混合电路。所谓混合电路是实现特定点间决定的耦合,而其他的点都被绝缘。这里,对a、b、c的3点间,c→a及c→b信号通过,a→b及
在如图1所示的功率mosfet的半桥、全桥电路中,高压侧开关如何变化成为了一个要点。 图1电功率mosfet组成的输出电路的构成 一般的,要驱动高压侧的元件,必需门极一源极间绝缘。如果是低速开关,可用图2所示的由光耦合器构成的专用驱动ic,高压侧的源极端, 在如图1所示的功率mosfet的半桥、全桥电路中,高压侧开关如何变化成为了一个要点。