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CHA3666-QAG中文资料5.8-17GHz Low Noise Amplifier数据手册UMS规格书
CHA3666-QAG规格书详情
描述 Description
The CHA3666-QAG is a two-stage self-biased wide band monolithic Low Noise Amplifier.
The circuit is manufactured with a standard pHEMT process: 0.25µm gate length, via holes through the substrate, air bridges and electron beam gate lithography.
It is supplied in lead-free package.
技术参数
- 制造商编号
：CHA3666-QAG
- 生产厂家
：UMS
- RF Bandwidth (GHz) min-max
：5.8 - 17
- Noise Figure (dB)
：1.8
- Gain (dB)
：21
- Case
：QFN
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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