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描述 Description
The circuit is a three-stage self biased wide band monolithic low noise amplifier.
The circuit is manufactured with a standard HEMT process : 0.25µm gate length, via holes through the substrate, air bridges and electron beam gate lithography.
Main Features
• Broad band performance 18-31GHz
• 2.5dB noise figure
• 22dB gain, ± 1dB gain flatness
• Low DC power consumption, 55mA
• 20dBm 3rd order intercept point
• Chip size : 2,170 x 1,270x 0.1mm
产品属性
- 型号：
CHA2069
- 制造商：
UMS
- 制造商全称：
United Monolithic Semiconductors
- 功能描述：
18-31GHz Low Noise Amplifier
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
UMS |
08+ |
QFN |
1711 |
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询价 | ||
UMS |
NA |
5500 |
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UMS |
25+ |
NA |
8000 |
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UMS |
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QFN |
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UMS |
08+ |
QFN |
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UMS |
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UMS |
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UMS |
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QFN |
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UMS |
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