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CGHV96100F2	文件：1.72389 Mbytes Page：13 Pages	100 W, 8.4 - 9.6 GHz, 50-ohm, Input/Output Matched GaN HEMT Description Wolfspeed’sCGHV96100F2isagalliumnitride(GaN)HighElectronMobilityTransistor(HEMT) onSiliconCarbide(SiC)substrates.ThisGaNInternallyMatched(IM)FEToffersexcellent poweraddedefficiencyincomparisontoothertechnologies.GaNhassuperiorproperties comparedto	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED
CGHV96100F2	文件：1.13194 Mbytes Page：13 Pages	100 W, 7.9 - 9.6 GHz, 50-ohm, Input	CreeCree Inc. 科锐科锐半导体制造商	Cree
CGHV96100F2-AMP	文件：1.13194 Mbytes Page：13 Pages	100 W, 7.9 - 9.6 GHz, 50-ohm, Input	CreeCree Inc. 科锐科锐半导体制造商	Cree
CGHV96100F2-JMT	文件：1.13194 Mbytes Page：13 Pages	100 W, 7.9 - 9.6 GHz, 50-ohm, Input	CreeCree Inc. 科锐科锐半导体制造商	Cree
CGHV96100F2-TB	文件：1.13194 Mbytes Page：13 Pages	100 W, 7.9 - 9.6 GHz, 50-ohm, Input	CreeCree Inc. 科锐科锐半导体制造商	Cree

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多CGHV96100供应商更新时间2024-5-29 16:40:00