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CFY30

丝印:A2;Package:SOT-143;GaAs FET (Low noise Fmin = 1.4 dB @ 4 GHz High gain 11.5 dB typ. @ 4 GHz)

GaAs FET * Low noise ( Fmin = 1.4 dB @ 4 GHz ) * High gain ( 11.5 dB typ. @ 4 GHz ) * For oscillators up to 12 GHz * For amplifiers up to 6 GHz * Ion implanted planar structure * Chip all gold metallization * Chip nitride passivation

文件:46.64 Kbytes 页数:6 Pages

SIEMENS

西门子

CFY30

GaAs FET (Low noise Fmin = 1.4 dB @ 4 GHz High gain 11.5 dB typ. @ 4 GHz)

Infineon

英飞凌

详细参数

  • 型号:

    CFY30

  • 制造商:

    INFINEON

  • 制造商全称:

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述:

    GaAs FET(Low noise Fmin = 1.4 dB @ 4 GHz High gain 11.5 dB typ. @ 4 GHz)

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