N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■ 55V, 60A, RDS(ON) = 20mΩ @VGS = 10V. RDS(ON) = 25mΩ @VGS = 5V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ TO-220 & TO-263 package.

文件：511.12 Kbytes 页数：5 Pages

CET

华瑞

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

CET

华瑞

COPAL/科宝电子
N/A

COPAL/科宝电子

上传：深圳市跃创芯科技有限公司

SAMTEC/砷泰
汽车电子连接器

SAMTEC/砷泰

上传：天津市博通航睿技术有限公司

MURATA/村田
SMD

MURATA/村田

上传：深圳市河锋鑫科技有限公司