N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■ 55V, 60A, RDS(ON) = 20mΩ @VGS = 10V. RDS(ON) = 25mΩ @VGS = 5V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ TO-220 & TO-263 package.

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CET

华瑞

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

CET

华瑞

N/A

COPAL/科宝电子

上传：深圳市跃创芯科技有限公司

汽车电子连接器

SAMTEC/砷泰

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SMD

MURATA/村田

上传：深圳市河锋鑫科技有限公司