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CEE02N6A中文资料华瑞数据手册PDF规格书

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厂商型号

CEE02N6A

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

721.46 Kbytes

页面数量

4

生产厂商

CET-MOS

中文名称

华瑞

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数据手册

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更新时间

2025-11-10 20:26:00

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CEE02N6A规格书详情

FEATURES

600V, 1.3A, RDS(ON) = 8.5W @VGS = 10V.

Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).

High power and current handing capability.

TO-126 package.

Lead-free plating ; RoHS compliant.

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