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CED3100	文件：415.7 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■30V,51A,RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=17mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CED3100	文件：661.16 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 30V,51A,RDS(ON)=10mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=17mW@VGS=4.5V. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEM3100	文件：633.79 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 30V,12A,RDS(ON)=12mW@VGS=10V. RDS(ON)=19mW@VGS=4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEP3100	文件：418.74 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■30V,47A,RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=21mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Lead-freeplating;RoHScompliant. ■TO-220package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEP3100	文件：677.43 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 30V,47A,RDS(ON)=12mW@VGS=10V. RDS(ON)=21mW@VGS=4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEU3100	文件：415.7 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■30V,51A,RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=17mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEU3100	文件：1.27043 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology Description： ThisN-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(on)withlowgatecharge. Itcanbeusedinawidevarietyofapplications. Features： 1)VDS=30V,ID=55A,RDS(ON)	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
CEU3100	文件：661.16 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 30V,51A,RDS(ON)=10mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=17mW@VGS=4.5V. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CP3100SC	文件：1.36903 Mbytes Page：5 Pages	SMBPlastic-EncapsulateDiodes	HDSEMIJiangsu High diode Semiconductor Co., Ltd 苏海德半导体苏海德半导体有限公司	HDSEMI
CR3100SA	文件：98.08 Kbytes Page：3 Pages	TheCRrangeofprotectorsarebasedontheproventechnologyoftheT10thyristorproduct	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse

详细参数

型号：
CE3100-HSP
制造商：
RadiSys
功能描述：
C ORE 2 DUO COM EXPRESS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市创新迹电子有限公司	CE3101	TDK	23+	原厂正规渠道	5000	专注配单,只做原装进口现货	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	CE3101	TDK	23+	原厂正规渠道	5000	专注配单,只做原装进口现货	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	CE-3101-T	TDK	2016+	SMD	6523	只做原装正品现货!或订货!	询价
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更多CE3100-HSP供应商更新时间2025-5-15 15:00:00

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