CE2F3P分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
CE2F3P |
| 参数属性 | CE2F3P 包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANSISTOR NPN |
| 功能描述 | on-chip resistor NPN silicon epitaxial transistor For mid-speed switching |
| 文件大小 |
110.84 Kbytes |
| 页面数量 |
4 页 |
| 生产厂商 | Renesas Electronics America |
| 企业简称 |
NEC【瑞萨】 |
| 中文名称 | 日本瑞萨电子株式会社官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-5-22 10:12:00 |
| 人工找货 | CE2F3P价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
CE2F3P三极管、CE2F3P晶体管、CE2F3P晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-N+Darl+R
- 性质：
微波 （MW）_开关管 （SW）_驱动管 （D）_微波 （M
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
60V
- 最大电流允许值：
2A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
- 最大耗散功率：
1W
- 放大倍数：
- 图片代号：
A-68
- vtest：
60
- htest：
999900
- atest：
2
- wtest：
1
CE2F3P规格书详情
on-chip resistor NPN silicon epitaxial transistor For mid-speed switching
The CE2F3P is a transistor of on-chip high hFE resistor incorporating dumper diode in collector to emitter as protect elements. This transistor is ideal for actuator drives of OA equipments and electric equipments.
FEATURES
• On-chip bias resistor: R1 = 2.2 kΩ, R2 = 10 kΩ
• Low power consumption during driving:
VOL = 0.12 V @VI = 5.0 V, IC = 0.5 A
• On-chip dumper diode for reverse cable
产品属性
- 产品编号：
CE2F3P-T-AZ
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）
- 描述：
TRANSISTOR NPN
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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