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CDM22010-650中文资料Through-Hole MOSFET N-Channel Enhancement Mode High Current数据手册Central规格书
技术参数
- 制造商编号
：CDM22010-650
- 生产厂家
：Central
- Case
：TO-220
- Configuration/ Description
：N-Channel Enhancement Mode High Current
- Polarity
：N-CH
- VDS MAX
：650V
- VGS MAX
：30V
- ID MAX
：10A
- PD MAX
：2W
- rDS(ON) MAX
：-
- @VGS
：-
- @ID
：-
- Qg TYP
：20nc
- Qg MAX
：-
- Crss MAX
：-
- Ciss MAX
：-
- Coss MAX
：-
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Central |
22+ |
NA |
731 |
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询价 | ||
CENTRAL |
2022+ |
TO-220 |
50000 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
46000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
CENTRAL |
23+ |
TO220F |
28888 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
CENTRAL |
23+ |
TO-220 |
6000 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
Central Semiconductor Corp |
2022+ |
TO-220-3 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
CENTRAL |
1809+ |
TO-220 |
1675 |
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