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FDB52N25

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=44A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=250V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=69mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

详细参数

  • 型号:

    CDECAPF52N25

  • 制造商:

    GARRETT ELECTRONICS

  • 功能描述:

    CAPACITOR KIT, FILM CHIP, Kit

  • Contents:

    25-Pcs of Each 52 Values 100pF to 0.1F C

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
CDE
23+
原厂原包
19960
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更多CDECAPF52N25供应商 更新时间2025-5-8 17:32:00