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CSLASHCT-1216	文件：297.44 Kbytes Page：5 Pages	HighCurrentAC,Snap-onType	KEMETKEMET Corporation 基美基美公司	KEMET
CSLASHCT-1216	文件：54.99 Kbytes Page：1 Pages	KEMET,C/CT-1216,Current,Round-Snap-on,AC,HighPerformance,Compact,Slim,FlameRetardant	KEMETKEMET Corporation 基美基美公司	KEMET
CXG1216UR	文件：151.89 Kbytes Page：5 Pages	HighPowerDP4TSwitchwithLogicControl	SonySony Semiconductor Solutions Group 索尼	Sony
D1216ECMDXGJD	文件：3.59565 Mbytes Page：2 Pages	KingstonDDR3/3LDRAMforembeddedapplications KEYFEATURES •DoubleDataRate(DDR)architecture:twodatatransfersperclockcycle •High-speeddatatransferisrealizedby8bitsprefetchpipelinedarchitecture •Bi-directionaldifferentialdatastrobe(DOSand/DQS)istransmitted/received withdataforcapturingdataatthereceiver	KINGSTONKingston Technology Far East Co. Ltd 金士顿金士顿科技	KINGSTON
D1216ECMDXGJDI	文件：425.79 Kbytes Page：2 Pages	Kingstoni-TempDDR3/3LDRAMforembeddedapplications KEYFEATURES •DoubleDataRatearchitecture:twodatatransfersperclockcycle •High-speeddatatransferisrealizedby8bitsprefetchpipelinedarchitecture •Bi-directionaldifferentialdatastrobe(DOSand/DQS)istransmitted/received withdataforcapturingdataatthereceiver •DOS	KINGSTONKingston Technology Far East Co. Ltd 金士顿金士顿科技	KINGSTON
D1216ECMDXGJDI-U	文件：3.59565 Mbytes Page：2 Pages	KingstonDDR3/3LDRAMforembeddedapplications KEYFEATURES •DoubleDataRate(DDR)architecture:twodatatransfersperclockcycle •High-speeddatatransferisrealizedby8bitsprefetchpipelinedarchitecture •Bi-directionaldifferentialdatastrobe(DOSand/DQS)istransmitted/received withdataforcapturingdataatthereceiver	KINGSTONKingston Technology Far East Co. Ltd 金士顿金士顿科技	KINGSTON
D1216ECMDXGJD-U	文件：3.59565 Mbytes Page：2 Pages	KingstonDDR3/3LDRAMforembeddedapplications KEYFEATURES •DoubleDataRate(DDR)architecture:twodatatransfersperclockcycle •High-speeddatatransferisrealizedby8bitsprefetchpipelinedarchitecture •Bi-directionaldifferentialdatastrobe(DOSand/DQS)istransmitted/received withdataforcapturingdataatthereceiver	KINGSTONKingston Technology Far East Co. Ltd 金士顿金士顿科技	KINGSTON
DEM-ADS1216	文件：336.85 Kbytes Page：9 Pages	EVALUATIONFIXTURE	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
DS1216	文件：334.63 Kbytes Page：13 Pages	SmartWatchRAMDS1216B/C/D/HSmartWatchROMDS1216E/F GENERALDESCRIPTION TheDS1216SmartWatchRAMandSmartWatchROMsocketsare600-mil-wideDIPsocketswithabuilt-inCMOSwatchfunction,anNVRAMcontrollercircuit,andanembeddedlithiumenergy source.ThesocketsprovideanNVRAMsolutionformemorysizedfrom2Kx8to512Kx8with	DallasDallas Semiconductor 亚德诺亚德诺半导体	Dallas
DS1216	文件：666.07 Kbytes Page：15 Pages	SmartWatchRAM(DS1216B/C/D/H);SmartWatchROM(DS1216E/F) GENERALDESCRIPTION TheDS1216SmartWatchRAMandSmartWatchROMsocketsare600-mil-wideDIPsocketswithabuilt-inCMOSwatchfunction,anNVRAMcontrollercircuit,andanembeddedlithiumenergy source.ThesocketsprovideanNVRAMsolutionformemorysizedfrom2Kx8to512Kx8with	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim

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产品属性

产品编号：
CDCLVP1216RGZT
制造商：
Texas Instruments
类别：
集成电路（IC） > 时钟缓冲器，驱动器
包装：
管件
类型：
扇出缓冲器（分配），多路复用器
电路数：
1
比率 - 输入：
2：16
差分 - 输入：
是/是
输入：
LVCMOS，LVDS，LVPECL，LVTTL
输出：
LVPECL
电压 - 供电：
2.375V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
48-VFQFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
48-VQFN（7x7）
描述：
IC CLK BUFFER 2

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