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|---|---|---|---|---|
DiffusedJunctionSiliconDiodeUltrahigh-SpeedSwitchingDiode Ultrahigh-SpeedSwitchingDiode Features •Highbreakdownvoltage(VRRM=600V). •Highreliability. •One-pointfixingtypeplasticmoldedpackagefacilitatingeasymountingandheatdissipation. •Fastreverserecoverytime. | SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社 | SANYO | ||
70-130VAC,8.0APeak,Closed-loop,NoTuning Features Hybridservocontroltechnologytocombineadvantagesofopen-loopsteppersystemsand brushlessservosystems Closed-loopcontrolstoeliminateloseofsteps,stallormovementsynchronization Highstartingtorqueandquickresponse Smoothmotormovementwithnovibration Excellent | LEADSHINELeadshine Technology Co., Ltd. 雷赛智能深圳市雷赛智能控制股份有限公司 | LEADSHINE | ||
SPIInterface,LowCONandQINJ,짹15V/12V,1.8VLogicControl,8:1/Dual4:1MuxSwitches | ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司 | AD | ||
PATENTEDGOLDMETALIZEDSILICONGATEENHANCEMENTMODERFPOWERVDMOSTRANSISTOR? 40WattsGemini PackageStyleAK HIGHEFFICIENCY,LINEAR,HIGHGAIN,LOWNOISE GeneralDescription SiliconVDMOSandLDMOStransistorsdesignedspecificallyforbroadbandRFapplications.SuitableforMilitaryRadios,CellularandPagingAmplifierBaseStations,BroadcastFM/AM,MRI, | Polyfet Polyfet RF Devices | Polyfet |
产品属性
- 产品编号：
CDCLVD1208RHDT
- 制造商：
Texas Instruments
- 类别：
集成电路（IC） > 时钟缓冲器，驱动器
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 类型：
扇出缓冲器（分配），多路复用器
- 电路数：
1
- 比率 - 输入：
2：8
- 差分 - 输入：
是/是
- 输入：
LVCMOS，LVDS，LVPECL
- 输出：
LVDS
- 电压 - 供电：
2.375V ~ 2.625V
- 工作温度：
-40°C ~ 85°C
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
28-VFQFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装：
28-VQFN（5x5）
- 描述：
IC CLK BUFFER 2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
德州仪器/TI |
1541 |
VQFN |
3 |
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TI/德州仪器 |
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TI |
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