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CAT93C46VP2I-GT3集成电路(IC)的存储器规格书PDF中文资料

CAT93C46VP2I-GT3
厂商型号

CAT93C46VP2I-GT3

参数属性

CAT93C46VP2I-GT3 封装/外壳为8-WFDFN 裸露焊盘;包装为托盘;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC EEPROM 1KBIT SPI 2MHZ 8TDFN

功能描述

1 kb Microwire Serial EEPROM
IC EEPROM 1KBIT SPI 2MHZ 8TDFN

封装外壳

8-WFDFN 裸露焊盘

文件大小

154.26 Kbytes

页面数量

13

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-1 12:12:00

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CAT93C46VP2I-GT3规格书详情

CAT93C46VP2I-GT3属于集成电路(IC)的存储器。由安森美半导体公司制造生产的CAT93C46VP2I-GT3存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。

描述 Description

The CAT93C46 is a 1 kb Serial EEPROM memory device which is configured as either 64 registers of 16 bits (ORG pin at VCC) or 128 registers of 8 bits (ORG pin at GND). Each register can be written (or read) serially by using the DI (or DO) pin. The CAT93C46 features a self−timed internal write with auto−clear. On−chip Power−On Reset circuit protects the internal logic against powering up in the wrong state.

特性 Features

• High Speed Operation: 2 MHz

• 1.8 V to 5.5 V Supply Voltage Range

• Selectable x8 or x16 Memory Organization

• Self−Timed Write Cycle with Auto−Clear

• Software Write Protection

• Power−up Inadvertant Write Protection

• Low Power CMOS Technology

• 1,000,000 Program/Erase Cycles

• 100 Year Data Retention

• Industrial Temperature Ranges

• 8−pin PDIP, SOIC, TSSOP and 8−pad TDFN Packages

• This Device is Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and RoHS Compliant*

产品属性

更多
  • 产品编号:

    CAT93C46VP2I-GT3

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    托盘

  • 存储器类型:

    非易失

  • 存储器格式:

    EEPROM

  • 技术:

    EEPROM

  • 存储容量:

    1Kb(128 x 8,64 x 16)

  • 存储器接口:

    SPI

  • 电压 - 供电:

    1.8V ~ 5.5V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-WFDFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    8-TDFN(2x3)

  • 描述:

    IC EEPROM 1KBIT SPI 2MHZ 8TDFN

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