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CAT28F020GI-12T集成电路(IC)的存储器规格书PDF中文资料

| 厂商型号 | CAT28F020GI-12T | 
| 参数属性 | CAT28F020GI-12T 封装/外壳为32-LCC(J 形引线);包装为托盘;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC FLASH 2MBIT PARALLEL 32PLCC | 
| 功能描述 | 2 Megabit CMOS Flash Memory | 
| 封装外壳 | 32-LCC(J 形引线) | 
| 文件大小 | 358.99 Kbytes | 
| 页面数量 | 16 页 | 
| 生产厂商 | ONSEMI | 
| 中文名称 | 安森美半导体 | 
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-31 11:10:00 | 
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CAT28F020GI-12T规格书详情
CAT28F020GI-12T属于集成电路(IC)的存储器。由安森美半导体制造生产的CAT28F020GI-12T存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。
DESCRIPTION
The CAT28F020 is a high speed 256K x 8-bit electrically erasable and reprogrammable Flash memory ideally suited for applications requiring in-system or after-sale code updates. Electrical erasure of the full memory contents is achieved typically within 0.5 second.
FEATURES
■ Fast read access time: 90/120 ns
■ Low power CMOS dissipation:
– Active: 30 mA max (CMOS/TTL levels)
– Standby: 1 mA max (TTL levels)
– Standby: 100 µA max (CMOS levels)
■ High speed programming:
– 10 µs per byte
– 4 seconds typical chip program
■ 0.5 seconds typical chip-erase
■ 12.0V ± 5 programming and erase voltage
■ Commercial, industrial and automotive temperature ranges
■ Stop timer for program/erase
■ On-chip address and data latches
■ JEDEC standard pinouts:
– 32-pin DIP
– 32-pin PLCC
– 32-pin TSOP (8 x 20)
■ 100,000 program/erase cycles
■ 10 year data retention
■ Electronic signature
产品属性
更多- 产品编号:CAT28F020GI-12T 
- 制造商:onsemi 
- 类别:集成电路(IC) > 存储器 
- 包装:托盘 
- 存储器类型:非易失 
- 存储器格式:闪存 
- 技术:闪存 
- 存储容量:2Mb(256K x 8) 
- 存储器接口:并联 
- 写周期时间 - 字,页:120ns 
- 电压 - 供电:4.5V ~ 5.5V 
- 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 
- 安装类型:表面贴装型 
- 封装/外壳:32-LCC(J 形引线) 
- 供应商器件封装:32-PLCC(11.43x13.97) 
- 描述:IC FLASH 2MBIT PARALLEL 32PLCC 
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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