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28C64	文件：660.56 Kbytes Page：12 Pages	64K(8Kx8)CMOSE2PROMwithPageWriteandSoftwareDataProtection Description TheAT28C64Bisahigh-performanceelectrically-erasableandprogrammablereadonlymemory(EEPROM).Its64Kofmemoryisorganizedas8,192wordsby8bits.ManufacturedwithAtmel’sadvancednonvolatileCMOStechnology,thedeviceoffersaccesstimesto150nswithpowerdissipation	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
28C64	文件：291.24 Kbytes Page：12 Pages	64K(8Kx8)ParallelEEPROMwithPageWriteandSoftwareDataProtection Features •FastReadAccessTime–150ns •AutomaticPageWriteOperation –InternalAddressandDataLatchesfor64Bytes •FastWriteCycleTimes –PageWriteCycleTime:10msMaximum –1to64-bytePageWriteOperation •LowPowerDissipation –40mAActiveCurrent –100μACMOSStan	SYC SYC Electronica	SYC
28C64A	文件：67.93 Kbytes Page：8 Pages	64K(8Kx8)CMOSEEPROM DESCRIPTION TheMicrochipTechnologyInc.28C64AisaCMOS64KnonvolatileelectricallyErasablePROM.The28C64AisaccessedlikeastaticRAMforthereadorwritecycleswithouttheneedofexternalcomponents.Duringa“bytewrite”,theaddressanddataarelatchedinternally,freeingthe	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
CAT28C64B	文件：93.39 Kbytes Page：13 Pages	64K-BitCMOSPARALLELEEPROM DESCRIPTION TheCAT28C64Bisafast,lowpower,5V-onlyCMOSParallelEEPROMorganizedas8Kx8-bits.Itrequiresasimpleinterfaceforin-systemprogramming.On-chipaddressanddatalatches,self-timedwritecyclewithauto-clearandVCCpowerup/downwriteprotectioneliminateadditionaltim	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
CAT28C64B	文件：57.7 Kbytes Page：12 Pages	64K-BitCMOSPARALLELE2PROM DESCRIPTION TheCAT28C64Bisafast,lowpower,5V-onlyCMOSParallelEEPROMorganizedas8Kx8-bits.Itrequiresasimpleinterfaceforin-systemprogramming.On-chipaddressanddatalatches,self-timedwritecyclewithauto-clearandVCCpowerup/downwriteprotectioneliminateadditionaltim	Catalyst Catalyst Semiconductor	Catalyst
CAT28C64B	文件：415.26 Kbytes Page：13 Pages	64K-BitCMOSPARALLELEEPROM	Catalyst Catalyst Semiconductor	Catalyst

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