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CAT22C10WI-30-T1中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

CAT22C10WI-30-T1

功能描述

256-Bit Nonvolatile CMOS Static RAM

文件大小

177.2 Kbytes

页面数量

10

生产厂商

ONSEMI

中文名称

安森美半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2025-11-15 23:00:00

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CAT22C10WI-30-T1规格书详情

DESCRIPTION

The CAT22C10 NVRAM is a 256-bit nonvolatile memory organized as 64 words x 4 bits. The high speed Static RAM array is bit for bit backed up by a nonvolatile E2PROM array which allows for easy transfer of data from RAM array to E2PROM (STORE) and from E2PROM to RAM (RECALL). STORE operations are completed in 10ms max. and RECALL operations typically within 1.5µs.

FEATURES

■ Single 5V Supply

■ Fast RAM Access Times:

–200ns

–300ns

■ Infinite E2PROM to RAM Recall

■ CMOS and TTL Compatible I/O

■ Power Up/Down Protection

■ 100,000 Program/Erase Cycles (E2PROM)

■ Low CMOS Power Consumption:

–Active: 40mA Max.

–Standby: 30 µA Max.

■ JEDEC Standard Pinouts:

–18-pin DIP

–16-pin SOIC

■ 10 Year Data Retention

■ Commercial, Industrial and Automotive Temperature Ranges

产品属性

  • 型号:

    CAT22C10WI-30-T1

  • 功能描述:

    NVRAM 256-Bit N V CMOS Static RAM

  • RoHS:

  • 制造商:

    Maxim Integrated

  • 数据总线宽度:

    8 bit

  • 存储容量:

    1024 Kbit

  • 组织:

    128 K x 8

  • 接口类型:

    Parallel

  • 访问时间:

    70 ns

  • 电源电压-最大:

    5.5 V

  • 电源电压-最小:

    4.5 V

  • 工作电流:

    85 mA

  • 最大工作温度:

    + 70 C

  • 最小工作温度:

    0 C

  • 封装/箱体:

    EDIP

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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