CAP200DG数据手册集成电路（IC）的专用IC规格书PDF
CAP200DG规格书详情
描述 Description
施加AC电压后，CAP200DG可阻断X电容安全放电电阻中的电流，这样可在230 VAC输入时将功率损耗降至5 mW以下，甚至为零功耗1。AC断电后，将CAP200DG与串联放电电阻相连，可自动对X电容进行放电。这种工作方法有助于灵活选择X电容，以优化差模EMI滤波，并在功耗不变的情况下降低电感成本。\r
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使用CAP200DG设计电源时，只需根据所用X电容值选择合适的外部电阻值即可获得所需的时间常数。双端子CAP200DG IC的简单性和稳健性，使其成为设计满足EuP Lot 6要求的电源系统的理想之选。
特性 Features
• 一个元件即可涵盖100 nF到6 mF的X电容值\r
• AC电压接通后阻止电流流经X电容放电电阻\r
• AC断电后通过放电电阻自动对X电容进行放电\r
• 简化EMI滤波电路的设计 – 采用更大容量的X电容，可使用小号电感元件，而不会改变功耗\r
• 只有两个端子 – 在系统输入保险丝之前或之后使用均可满足安全标准\r
• 封装和PCB板上的爬电距离>4 mm\r
• 自供电 – 无需外部偏置\r
• 高共模抗浪涌能力 – 无需外部接地连接\r
• 高差模抗浪涌能力 – 内部集成1000 V MOSFET\r
• 通过NEMKO与CB认证
技术参数
- 制造商编号
：CAP200DG
- 生产厂家
：PI
- 总串联电阻
：7.5 MOhm to 142 kOhm
- 击穿电压
：1000 V
- IC封装
：SO-8
- 安装类型
：Surface Mount
- 产品类型
：IC
- 运作温度 (最大)
：110 °C
- 运作温度 (最小)
：-10 °C
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