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CAB006A12GM3数据手册Wolfspeed(CREE)中文资料规格书
CAB006A12GM3规格书详情
描述 Description
Leading Silicon Carbide MOSFET technology in an industry standard form factorHighest current rated topologies versus market equivalentsBuilt in NTCPress fit connections
特性 Features
• Leading Silicon Carbide MOSFET technology in an industry standard form factor
• Highest current rated topologies versus market equivalents
• Built in NTC
• Press fit connections
应用 Application
• EV Fast Charging
• Industrial Power
• UPS
• Induction Heating Welding
• Industrial Motor Drives
• Power Supplies
• Solar & Renewable Energy
• Grid Infrastructure
技术参数
- 制造商编号
：CAB006A12GM3
- 生产厂家
：Wolfspeed(CREE)
- 封装
：GM3
- 配置
：Half Bridge (AlN substrate)
- 阻断电压
：1200 V
- 额定电流
：200 A
- 导通电阻 R[[DS(ON)]] @ 25°C
：6 mΩ
- 代际
：Gen 3 MOS
- 最高结点温度
：150 °C
- 模块尺寸
：62.8 mm x 56.7 mm
- 新设计推荐？
：Yes
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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FAGOR |
20+ |
SEMI |
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