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FDP5800	文件：333.08 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=6.0mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
G5800	文件：791.97 Kbytes Page：1 Pages	MobilePhonePowerManagementSystem	GMTGlobal Mixed-mode Technology Inc 致新科技	GMT
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详细参数

型号：
CA5800H
功能描述：
RF Amplifier

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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