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CA4800C	文件：71.22 Kbytes Page：4 Pages	The RF Line Wideband Linear Amplifiers TheRFLineWidebandLinearAmplifiers ...designedforamplifierapplicationsin50ohmsystemsrequiringwidebandwidth,lownoiseandlow–distortion.Thishybridprovidesexcellentgainstabilitywithtemperatureandlinearamplificationasaresultofthepush–pullcircuitdesign. •Specif	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
CA4800C	文件：260.399 Kbytes Page：4 Pages	Wideband Linear Amplifiers	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
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CHM4800AJPT	文件：182.06 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor VOLTAGE30VoltsCURRENT9Ampere FEATURE Smallflatpackage.(SO-8) SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. Leadfreeproductisacquired. APPLICATION Servomotorcontrol. PowerMOSFETgatedrivers. *Otherswitching	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO
DEH-X4800BT	文件：6.54532 Mbytes Page：84 Pages	CDRDSRECEIVERAUTORADIOCDRDSREPRODUCTORDECDCONRECEPTORRDS	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
DMG4800LFG	文件：166.94 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMG4800LSD	文件：148.65 Kbytes Page：6 Pages	DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMN4800LSS	文件：165.62 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Description ThisMOSFEThasbeendesignedtominimizetheon-stateresistance(RDS(ON))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. Features •LowOn-Resistance •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMN4800LSSL	文件：145.18 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Description ThisnewgenerationMOSFEThasbeendesignedtominimizetheonstateresistance(RDS(on))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. FeaturesandBenefitss •14mΩ@VGS=10V •LowInputCapacitance •FastS	DIODES Diodes Incorporated	DIODES

详细参数

型号：
CA4800C
功能描述：
RF Amplifier

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更多CA4800C供应商更新时间2025-5-24 10:31:00

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