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CA3083数据手册GESS中文资料规格书

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厂商型号

CA3083

功能描述

General-purpose high-current N-P-N transistor array.

制造商

GESS GE Solid State

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 23:01:00

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技术参数

  • 型号:

    CA3083

  • 功能描述:

    TRANSISTOR ARRAY NPN 16-DIP

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 阵列

  • 系列:

    -

  • 标准包装:

    10,000

  • 晶体管类型:

    2 NPN(双) 电流 -

  • 集电极(Ic)(最大):

    100mA 电压 -

  • 集电极发射极击穿(最大):

    45V

  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):

    600mV @ 5mA,100mA 电流 -

  • 集电极截止(最大):

    - 在某 Ic、Vce

  • 时的最小直流电流增益(hFE):

    200 @ 2mA,5V 功率 -

  • 最大:

    250mW 频率 -

  • 转换:

    250MHz

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    6-TSSOP,SC-88,SOT-363

  • 供应商设备封装:

    PG-SOT363-6

  • 包装:

    带卷(TR)

  • 其它名称:

    SP000747402

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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