C5060中文资料90+-10V, 3A power transistor数据手册ROHM规格书
| 厂商型号 |
C5060 |
| 参数属性 | C5060 封装/外壳为0805（2012 公制）；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为RF/IF射频/中频RFID的RF定向耦合器；C5060应用范围：通用；产品描述：RF DIR CPLR 5-6GHZ HY 90DEG 0805 |
| 功能描述 | 90+-10V, 3A power transistor |
| 封装外壳 | 0805（2012 公制） |
| 制造商 | ROHM Rohm |
| 中文名称 | 罗姆 罗姆半导体集团 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-27 15:01:00 |
| 人工找货 | C5060价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
C5060规格书详情
描述 Description
2SC5060, C5060 : Power transistor
特性 Features
1) Built-in zener diode between collector and base.
2) Zener diode has lowvoltage dispersion.
3) Strong protectionagainst reverse power surges dueto “L” loads.
4) Darlington connection for high DC current gain.
5) Built-in resistor between base and emitter.
6) Built-in damper diode.
技术参数
- 产品编号：
C5060J5003AHF
- 制造商：
TTM Technologies, Inc.
- 类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > RF 定向耦合器
- 系列：
Xinger®
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 耦合器类型：
标准
- 频率：
4.5GHz ~ 6GHz
- 耦合系数：
3dB
- 应用：
通用
- 插损：
0.2dB
- 功率 - 最大值：
4W
- 隔离：
27dB
- 回波损耗：
26dB
- 封装/外壳：
0805（2012 公制）
- 供应商器件封装：
805
- 描述：
RF DIR CPLR 5-6GHZ HY 90DEG 0805
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Anaren(安伦) |
2447 |
0805 |
315000 |
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询价 | ||
ANAREN |
23+ |
SMD |
880000 |
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Anaren(安伦) |
25+ |
0805 |
500000 |
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24+ |
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PHI |
22+ |
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PHI |
22+ |
BGA |
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