C43610RH中文资料GaN驱动器芯片数据手册HXYSEMI规格书
C43610RH规格书详情
描述 Description
C43610RH是一款60V半桥GaN驱动器，专为高频率、高效率的应用而开发， 具有可调节死区时间功能、极短的传播延迟以及5ns 高侧/低侧匹配，以优化系统效率。芯片内置LDO，提供与电源电压无关的5V栅极驱动器电压。 C43610RH具有两种输入控制模式：独立输入模式(IIM) 和PWM 模式。在IIM 模式中，每个输出都由专用输入独立控制。在PWM 模式下，两个补偿输出信号由单个输入产生，每个沿的死区时间可在10~100ns之间调节。
技术参数
- 制造商编号
：C43610RH
- 生产厂家
：HXYSEMI
- 峰值电流
：1.5A (拉电流) 3 A (灌电流)
- 工作频率(MHz)
：10
- 死区时间(ns)
：10 ~ 100 （可调）
- 典型应用
：DC-DC 转换器半桥/全桥/正激/推挽转换器
- 封装类型/尺(mm)
：2.05×2.05(裸芯)
- 替代型号
：LMG1210
- 单粒子（MeV*cm2/m
：≥75
- 总剂量krad(si）
：≥100
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
POWEREX |
专业模块 |
MODULE |
8513 |
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询价 | ||
KEC |
21+ |
TO-220F |
120000 |
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KEC原装 |
25+23+ |
TO-220F |
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KEC原装 |
TO-220F |
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PRX/GE |
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MODULE |
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KEC |
25+ |
TO-TO-220F |
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KEE |
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KEC |
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KEC |
23+ |
TO-220 |
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询价 |
