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C3225X7S1H106K中文资料PDF规格书

C3225X7S1H106K
厂商型号

C3225X7S1H106K

参数属性

C3225X7S1H106K 封装/外壳为1210(3225 公制);包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为电容器 > 陶瓷电容器;C3225X7S1H106K应用范围:通用;产品描述:CAP CER 10UF 50V X7S 1210

功能描述

1805–2200 MHz, 107 W AVG., 48 V AIRFAST RF POWER GaN TRANSISTOR

文件大小

414.55 Kbytes

页面数量

18

生产厂商 NXP Semiconductors
企业简称

nxp恩智浦

中文名称

恩智浦半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-6 22:59:00

C3225X7S1H106K规格书详情

Features

 High terminal impedances for optimal broadband performance

 Advanced high performance in--package Doherty

 Able to withstand extremely high output VSWR and broadband operating

conditions

产品属性

  • 产品编号:

    C3225X7S1H106K250AB

  • 制造商:

    TDK Corporation

  • 类别:

    电容器 > 陶瓷电容器

  • 系列:

    C

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 容差:

    ±10%

  • 电压 - 额定:

    50V

  • 温度系数:

    X7S

  • 工作温度:

    -55°C ~ 125°C

  • 特性:

    低 ESL 型

  • 应用:

    通用

  • 安装类型:

    表面贴装,MLCC

  • 封装/外壳:

    1210(3225 公制)

  • 大小 / 尺寸:

    0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)

  • 厚度(最大值):

    0.110"(2.80mm)

  • 描述:

    CAP CER 10UF 50V X7S 1210

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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