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C2383Y-2AF中文资料NPN Transistor数据手册FOSAN规格书
C2383Y-2AF规格书详情
描述 Description
晶体管类型: NPN
集电极电流(lc): 1A
集射极击穿电厅: 160V
耗散功率(Pd):500mW
技术参数
- 制造商编号
：C2383Y-2AF
- 生产厂家
：FOSAN
- 集电极电流(Ic)
：1A
- 集射极击穿电压(Vceo)
：160V
- 耗散功率(Pd)
：500mW
- 集射极饱和电压(VCE(sat))
：1V
- 直流电流增益(hFE)
：160mA-320mA
- 特征频率(fT)
：20MHz
- 工作温度
：-55℃~+150℃
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
CSTA |
24+ |
NA/ |
3290 |
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VTI |
25+ |
SOIC8 |
17 |
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VTI |
09+ |
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VTI |
09+ |
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24+ |
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