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C1825C225K5RAC电容器的陶瓷电容器规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
C1825C225K5RAC |
| 参数属性 | C1825C225K5RAC 封装/外壳为1825（4564 公制）；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为电容器的陶瓷电容器；C1825C225K5RAC应用范围：旁通，去耦；产品描述：CAP CER 2.2UF 50V X7R 1825 |
| 功能描述 | RF Power LDMOS Transistor |
| 封装外壳 | 1825（4564 公制） |
| 文件大小 |
474.4 Kbytes |
| 页面数量 |
16 页 |
| 生产厂商 | 恩XP |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-14 10:18:00 |
| 人工找货 | C1825C225K5RAC价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
C1825C225K5RAC规格书详情
N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET
This 63 watt asymmetrical Doherty RF power LDMOS transistor is designed
for cellular base station applications requiring very wide instantaneous
bandwidth capability covering the frequency range of 1805 to 1880 MHz.
Typical Doherty Single--Carrier W--CDMA Performance: VDD = 28 Volts,
IDQA = 1100 mA, VGSB = 1.45 Vdc, Pout = 63 Watts Avg., Input Signal
PAR = 9.9 dB @ 0.01 Probability on CCDF.
特性 Features
Advanced High Performance In--Package Doherty
Designed for Wide Instantaneous Bandwidth Applications
Greater Negative Gate--Source Voltage Range for Improved Class C
Operation
Designed for Digital Predistortion Error Correction Systems
In Tape and Reel. R6 Suffix = 150 Units, 56 mm Tape Width, 13--inch Reel.
For R5 Tape and Reel option, see p. 15.
产品属性
- 产品编号：
C1825C225K5RAC7800
- 制造商：
ETC
- 类别：
电容器 > 陶瓷电容器
- 系列：
SMD Comm X7R
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 容差：
±10%
- 电压 - 额定：
50V
- 温度系数：
X7R
- 工作温度：
-55°C ~ 125°C
- 应用：
旁通，去耦
- 安装类型：
表面贴装，MLCC
- 封装/外壳：
1825（4564 公制）
- 大小 / 尺寸：
0.177" 长 x 0.252" 宽（4.50mm x 6.40mm）
- 厚度（最大值）：
0.065"（1.65mm）
- 描述：
CAP CER 2.2UF 50V X7R 1825
