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C0603C104J5RAC中文资料PDF规格书

C0603C104J5RAC
厂商型号

C0603C104J5RAC

参数属性

C0603C104J5RAC 封装/外壳为0603(1608 公制);包装为散装;类别为电容器 > 陶瓷电容器;C0603C104J5RAC应用范围:旁通,去耦;产品描述:CAP CER 0.1UF 50V X7R 0603

功能描述

Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)

文件大小

456.37 Kbytes

页面数量

20

生产厂商 NXP Semiconductors
企业简称

nxp恩智浦

中文名称

恩智浦半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-22 23:00:00

C0603C104J5RAC规格书详情

Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)

Broadband High Linearity Amplifier

The MMG3005NT1 is a general purpose amplifier that is internally prematched and designed for a broad range of Class A, small--signal, high linearity, general purpose applications. It is suitable for applications with frequencies from 800 to 2200 MHz such as cellular, PCS, WLL, PHS, VHF, UHF, UMTS and general small--signal RF.

Features

• Frequency: 800--2200 MHz

• P1dB: 30 dBm @ 2140 MHz

• Small--Signal Gain: 15 dB @ 2140 MHz

• Third Order Output Intercept Point: 47 dBm @ 2140 MHz

• Single 5 V Supply

• Internally Prematched to 50 Ohms

• In Tape and Reel. T1 Suffix = 1,000 Units, 16 mm Tape Width, 13--inch Reel.

产品属性

  • 产品编号:

    C0603C104J5RAC7411

  • 制造商:

    KEMET

  • 类别:

    电容器 > 陶瓷电容器

  • 系列:

    SMD Comm X7R

  • 包装:

    散装

  • 容差:

    ±5%

  • 电压 - 额定:

    50V

  • 温度系数:

    X7R

  • 工作温度:

    -55°C ~ 125°C

  • 应用:

    旁通,去耦

  • 安装类型:

    表面贴装,MLCC

  • 封装/外壳:

    0603(1608 公制)

  • 大小 / 尺寸:

    0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)

  • 厚度(最大值):

    0.037"(0.95mm)

  • 描述:

    CAP CER 0.1UF 50V X7R 0603

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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