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BZX884-B30分立半导体产品二极管-齐纳-单规格书PDF中文资料
厂商型号 |
BZX884-B30 |
参数属性 | BZX884-B30 封装/外壳为SOD-882;包装为卷带(TR)剪切带(CT);类别为分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单;产品描述:DIODE ZENER 30V 250MW DFN1006-2 |
功能描述 | Voltage regulator diodes |
文件大小 |
300.79 Kbytes |
页面数量 |
13 页 |
生产厂商 | Nexperia B.V. All rights reserved |
企业简称 |
NEXPERIA【安世】 |
中文名称 | 安世半导体(中国)有限公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-5-20 18:28:00 |
BZX884-B30规格书详情
1. General description
General-purpose Zener diodes in an SOD882 (DFN1006-2) leadless ultra small Surface-Mounted
Device (SMD) plastic package.
2. Features and benefits
• Total power dissipation: Ptot ≤ 250 mW
• Wide working voltage range: nominal 2.4 V to 75 V (E24 range)
• Two tolerance series: ± 2 and ± 5
• Leadless ultra small plastic package suitable for surface-mounted design
• AEC-Q101 qualified
3. Applications
• General regulation functions
• ElectroStatic Discharge (ESD) ultra high-speed switching
• High-frequency applications
BZX884-B30属于分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单。安世半导体(中国)有限公司制造生产的BZX884-B30二极管 - 齐纳 - 单齐纳二极管可用于以反向击穿模式工作,并根据以这种方式使用时的行为来分类。这些器件可用作电压基准或限压用途,还可以用作类似于整流二极管的单向电流阀,但它们在这种模式下的性能通常不如专用器件理想。该系列产品的每个器件封装恰好实现该功能的一个实例。
产品属性
- 产品编号:
BZX884-B30,315
- 制造商:
Nexperia USA Inc.
- 类别:
分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)
- 容差:
±2%
- 工作温度:
-65°C ~ 150°C
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
SOD-882
- 供应商器件封装:
DFN1006-2
- 描述:
DIODE ZENER 30V 250MW DFN1006-2
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP/恩智浦 |
22+ |
NA |
201000 |
可订货,请确认 |
询价 | ||
VISHAY(威世) |
23+ |
DFN10062A |
7350 |
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询价 | ||
NXP/恩智浦 |
22+ |
N/A |
38000 |
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询价 | ||
NXP/恩智浦 |
23+ |
NA |
25630 |
原装正品 |
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NXP |
22+ |
SOP |
9852 |
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NXP/恩智浦 |
22+ |
NA |
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Nexperia |
23/22+ |
NA |
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NXP/恩智浦 |
标准封装 |
58338 |
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PHILIPS |
SOD-882 |
68900 |
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NXP/恩智浦 |
21+ |
NA |
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