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BZX884-B30分立半导体产品二极管-齐纳-单规格书PDF中文资料

BZX884-B30
厂商型号

BZX884-B30

参数属性

BZX884-B30 封装/外壳为SOD-882;包装为卷带(TR)剪切带(CT);类别为分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单;产品描述:DIODE ZENER 30V 250MW DFN1006-2

功能描述

Voltage regulator diodes
DIODE ZENER 30V 250MW DFN1006-2

文件大小

300.79 Kbytes

页面数量

13

生产厂商 Nexperia B.V. All rights reserved
企业简称

NEXPERIA安世

中文名称

安世半导体(中国)有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-20 18:28:00

BZX884-B30规格书详情

1. General description

General-purpose Zener diodes in an SOD882 (DFN1006-2) leadless ultra small Surface-Mounted

Device (SMD) plastic package.

2. Features and benefits

• Total power dissipation: Ptot ≤ 250 mW

• Wide working voltage range: nominal 2.4 V to 75 V (E24 range)

• Two tolerance series: ± 2 and ± 5

• Leadless ultra small plastic package suitable for surface-mounted design

• AEC-Q101 qualified

3. Applications

• General regulation functions

• ElectroStatic Discharge (ESD) ultra high-speed switching

• High-frequency applications

BZX884-B30属于分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单。安世半导体(中国)有限公司制造生产的BZX884-B30二极管 - 齐纳 - 单齐纳二极管可用于以反向击穿模式工作,并根据以这种方式使用时的行为来分类。这些器件可用作电压基准或限压用途,还可以用作类似于整流二极管的单向电流阀,但它们在这种模式下的性能通常不如专用器件理想。该系列产品的每个器件封装恰好实现该功能的一个实例。

产品属性

  • 产品编号:

    BZX884-B30,315

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)

  • 容差:

    ±2%

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SOD-882

  • 供应商器件封装:

    DFN1006-2

  • 描述:

    DIODE ZENER 30V 250MW DFN1006-2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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