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BZX84C9V1E中文资料Energy Rated Zeners in SOT-23 9.1 V 225 W数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

BZX84C9V1E

参数属性

BZX84C9V1E 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT);类别为分立半导体产品的二极管-齐纳-单;产品描述:DIODE ZENER 9.1V 225MW SOT23-3

功能描述

Energy Rated Zeners in SOT-23 9.1 V 225 W
DIODE ZENER 9.1V 225MW SOT23-3

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-29 0:17:00

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BZX84C9V1E规格书详情

描述 Description

This series of Zener diodes is offered in the convenient, surface mount plastic SOT-23 package. These devices are designed to provide voltage regulation with minimum space requirement. They are well suited for applications such as cellular phones, hand held portables, and high density PC boards.

特性 Features

• Peak Power Dissipation 225 Watt (8 X 20 µs)
• ESD Rating of Class 3 (>16 KV) per Human Body Model
• Pb-Free Packages are Available
• AECQ101 Qualified and PPAP Capable
• SZ Prefix for Automotive and Other Applications Requiring UniqueSite and Control Change Requirements

简介

BZX84C9V1E属于分立半导体产品的二极管-齐纳-单。由制造生产的BZX84C9V1E二极管 - 齐纳 - 单齐纳二极管可用于以反向击穿模式工作,并根据以这种方式使用时的行为来分类。这些器件可用作电压基准或限压用途,还可以用作类似于整流二极管的单向电流阀,但它们在这种模式下的性能通常不如专用器件理想。该系列产品的每个器件封装恰好实现该功能的一个实例。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    BZX84C9V1ET3G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)

  • 容差:

    ±5%

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 描述:

    DIODE ZENER 9.1V 225MW SOT23-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON SEMICONDUCTOR
2023+
SMD
10000
安罗世纪电子只做原装正品货
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onsemi(安森美)
24+
7350
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!
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ON/安森美
24+
NA/
115240
原装现货,当天可交货,原型号开票
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ON/安森美
25+
SOT23
114000
原装正品,假一罚十!
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VISHAY/威世
22+
SOT-23-3
100000
代理渠道/只做原装/可含税
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VISHAY
1627+
SOT-23
345
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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VISHAY
20+
SOT23
32970
原装优势主营型号-可开原型号增税票
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PANJIT
24+
SOT-23
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公司现货库存,支持实单
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VISHAY
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
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ON
24+
SOT233SNGL
6000
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