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BZX84C9V1E数据手册分立半导体产品的二极管-齐纳-单规格书PDF

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厂商型号

BZX84C9V1E

参数属性

BZX84C9V1E 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT);类别为分立半导体产品的二极管-齐纳-单;产品描述:DIODE ZENER 9.1V 225MW SOT23-3

功能描述

Energy Rated Zeners in SOT-23 9.1 V 225 W
DIODE ZENER 9.1V 225MW SOT23-3

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-10 23:01:00

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BZX84C9V1E规格书详情

描述 Description

This series of Zener diodes is offered in the convenient, surface mount plastic SOT-23 package. These devices are designed to provide voltage regulation with minimum space requirement. They are well suited for applications such as cellular phones, hand held portables, and high density PC boards.

特性 Features

• Peak Power Dissipation 225 Watt (8 X 20 µs)
• ESD Rating of Class 3 (>16 KV) per Human Body Model
• Pb-Free Packages are Available
• AECQ101 Qualified and PPAP Capable
• SZ Prefix for Automotive and Other Applications Requiring UniqueSite and Control Change Requirements

简介

BZX84C9V1E属于分立半导体产品的二极管-齐纳-单。由制造生产的BZX84C9V1E二极管 - 齐纳 - 单齐纳二极管可用于以反向击穿模式工作,并根据以这种方式使用时的行为来分类。这些器件可用作电压基准或限压用途,还可以用作类似于整流二极管的单向电流阀,但它们在这种模式下的性能通常不如专用器件理想。该系列产品的每个器件封装恰好实现该功能的一个实例。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    BZX84C9V1ET3G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)

  • 容差:

    ±5%

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 描述:

    DIODE ZENER 9.1V 225MW SOT23-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
24+
NA/
115240
原装现货,当天可交货,原型号开票
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onsemi(安森美)
24+
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25+
SOT23
114000
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VISHAY/威世
22+
SOT-23-3
100000
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