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BZX84C36-V-G	文件：118.27 Kbytes Page：8 Pages	Small Signal Zener Diodes FEATURES •SiliconplanarpowerZenerdiodes •ThezenervoltagesaregradedaccordingtotheinternationalE24standard.Standardzenervoltagetoleranceis±5.Replace“C”with“B”for2tolerance. •AEC-Q101qualified •ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECandinaccordanceto	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BZX84C36-V-GS08	文件：136.2 Kbytes Page：9 Pages	Small Signal Zener Diodes FEATURES •Thesediodesarealsoavailableinothercasestylesandotherconfigurationsincluding:theSOD-123casewithtypedesignationBZT52series,thezenerdiodecommonanodeconfigurationintheSOT-23casewithtypedesignationAZ23seriesandthezenerdiodecommoncathodeconfiguration	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BXZ84C36	文件：111.72 Kbytes Page：2 Pages	350mWZENERDIODES(2.7Vto51V) Features ■5VOLTAGETOLERANCE ■WIDEVOLTAGERANGE ■MEETSULSPECIFICATION94V-0	FCI Amphenol ICC	FCI
BXZ84C36	文件：129.789 Kbytes Page：3 Pages	350mWZENERDIODES(2.7Vto51V)5VOLTAGETOLERANCE	FCI Amphenol ICC	FCI
BZD84C36	文件：168.35 Kbytes Page：3 Pages	DualZenerVoltageRegulatorDiodes	SECELECTRONICS SEC Electronics Inc.	SECELECTRONICS
BZD84C36	文件：162.86 Kbytes Page：3 Pages	DualZenerVoltageRegulatorDiodes	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
BZD84C36	文件：168.35 Kbytes Page：3 Pages	300mWSOT-23SeriesDualZenerVoltageRegulatorDiodes	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
BZX84C36	文件：1.6596 Mbytes Page：5 Pages	PlanarDieConstruction	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
BZX84C36	文件：539.92 Kbytes Page：4 Pages	ZENERDIODEPlanarDieConstruction	FS First Silicon Co., Ltd	FS
BZX84C36	文件：140.65 Kbytes Page：3 Pages	350mWSURFACEMOUNTZENERDIODE FEATURES •LOWCOST •SMALLSIZE	FRONTIER Frontier Electronics	FRONTIER
BZX84C36	文件：435.23 Kbytes Page：5 Pages	PlanarDieConstruction. FEATURES ●PlanarDieConstruction. ●350mwPowerDissipation. ●ZenerVoltagesFrom2.4V-51V ●IdeallySuitedForAutomatedAssemblyPrcesses. APPLICATIONS •350MwSurfacemountzenerdiode	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
BZX84C36	文件：825.82 Kbytes Page：5 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateDiodes ZENERDIODE FEATURES ●PlanarDieConstruction ●300mWPowerDissipation ●ZenerVoltagesfrom2.4V-43V ●Ultra-SmallSurfaceMountPackagePowerDissipation	MAKOSEMI MAKO SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED	MAKOSEMI
BZX84C36	文件：1.03495 Mbytes Page：5 Pages	ZENERDIODE Features •PlanarDieConstruction •350mWPowerDissipation •ZenerVoltagesfrom2.4V-51V •IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcesses	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
BZX84C36	文件：363.49 Kbytes Page：3 Pages	SEMICONDUCTOR	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
BZX84C36	文件：825.82 Kbytes Page：5 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateDiodes ZENERDIODE FEATURES ●PlanarDieConstruction ●300mWPowerDissipation ●ZenerVoltagesfrom2.4V-43V ●Ultra-SmallSurfaceMountPackagePowerDissipation	MAKOSEMI MAKO SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED	MAKOSEMI
BZX84C36	文件：287.41 Kbytes Page：2 Pages	ZENERVOLTAGEREGULATORS FEATURES: 225mWRatingonFR-4orFR-5Board ZenerBreakdownVoltageRange2.4Vto75V PackageDesignedforOptimalAutomatedBoardAssembly SmallPackageSizeforHighDensityApplications ESDRatingofClass3(>16KV)perHumanBodyModel Pb/RoHSFree	BWTECHBruckewell Technology LTD 布吕克韦尔技术布吕克韦尔技术有限公司	BWTECH
BZX84C36	文件：135.79 Kbytes Page：9 Pages	SMDZenerDiode 300mWSurfaceMountZenerDiodes-2.4V-75V Features •Siliconepitaxialplanarchipstructure. •Widezenerreversevoltagerange2.4Vto75V. •Smallpackagesizeforhighdensityapplications. •Ideallysuitedforautomatedassemblyprocesses. •Lead-freepartsmeetenvironm	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
BZX84C36	文件：1.10793 Mbytes Page：4 Pages	ZenerVotageRegulatorDiodes GENERALDATAAPPLICABLETOALL SERIESINTHISHGROUP ZenerVoltage RegulatorDiodes MAXIMUMCASETEMPERATUREFORSOLDERING PURPOSES:260°Cfor10seconds	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科广东時科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
BZX84C36	文件：313.02 Kbytes Page：5 Pages	350mWSurfaceMountZenerDiode FEATURES ●PlanarDieConstruction. ●350mwPowerDissipation. ●ZenerVoltagesFrom2.4V-51V ●IdeallySuitedForAutomatedAssemblyPrcesses. APPLICATIONS ●350MwSurfacemountzenerdiode	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
BZX84C36	文件：825.82 Kbytes Page：5 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateDiodes	MAKOSEMI MAKO SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED	MAKOSEMI

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详细参数

型号：
BZX84C36-V-G
功能描述：
稳压二极管 36 Volt 0.35W 5%
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
齐纳电压：
12 V
电压容差：
5 %
电压温度系数：
0.075 %/K
功率耗散：
3 W
最大反向漏泄电流：
3 uA
最大齐纳阻抗：
7 Ohms
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
DO-214AC
封装：
Reel

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更多BZX84C36-V-G供应商更新时间2024-6-20 10:15:00

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