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BZX84C12LT1G分立半导体产品的二极管-齐纳-单规格书PDF中文资料

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厂商型号

BZX84C12LT1G

参数属性

BZX84C12LT1G 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-齐纳-单;产品描述:DIODE ZENER 12V 250MW SOT23-3

功能描述

Zener Voltage Regulators 250 mW SOT−23 Surface Mount
DIODE ZENER 12V 250MW SOT23-3

丝印标识

Y2

封装外壳

SOT-23 / TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

223.57 Kbytes

页面数量

8

生产厂商

ONSEMI

中文名称

安森美半导体

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数据手册

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更新时间

2025-12-12 15:58:00

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BZX84C12LT1G规格书详情

BZX84C12LT1G属于分立半导体产品的二极管-齐纳-单。由安森美半导体制造生产的BZX84C12LT1G二极管 - 齐纳 - 单齐纳二极管可用于以反向击穿模式工作,并根据以这种方式使用时的行为来分类。这些器件可用作电压基准或限压用途,还可以用作类似于整流二极管的单向电流阀,但它们在这种模式下的性能通常不如专用器件理想。该系列产品的每个器件封装恰好实现该功能的一个实例。

This series of Zener diodes is offered in the convenient, surface

mount plastic SOT−23 package. These devices are designed to provide

voltage regulation with minimum space requirement. They are well

suited for applications such as cellular phones, hand held portables,

and high density PC boards.

特性 Features

• 250 mW Rating on FR−4 or FR−5 Board

• Zener Breakdown Voltage Range − 2.4 V to 75 V

• Package Designed for Optimal Automated Board Assembly

• Small Package Size for High Density Applications

• ESD Rating of Class 3 (> 16 kV) per Human Body Model

• Tight Tolerance Series Available (See Page 4)

• SZ Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique

Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and

PPAP Capable

• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant

产品属性

更多
  • 产品编号:

    BZX84C12LT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 容差:

    ±5%

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 描述:

    DIODE ZENER 12V 250MW SOT23-3

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