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BZX84B12-TP	文件：312.04 Kbytes Page：6 Pages	Silicon 350 mWatt Zener Diodes	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BZX84B12-TP	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 齐纳 - 单描述：DIODE ZENER 12V 350MW SOT23	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BZX84B12-V	文件：452 Kbytes Page：10 Pages	SmallSignalZenerDiodes FEATURES •Thesediodesarealsoavailableinothercasestylesandotherconfigurationsincluding:theSOD-123casewithtypedesignationBZT52series,thezenerdiodecommonanodeconfigurationintheSOT-23casewithtypedesignationAZ23seriesandthezenerdiodecommoncathodeconfiguration	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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BZX84B12-V-G	文件：118.27 Kbytes Page：8 Pages	SmallSignalZenerDiodes FEATURES •SiliconplanarpowerZenerdiodes •ThezenervoltagesaregradedaccordingtotheinternationalE24standard.Standardzenervoltagetoleranceis±5.Replace“C”with“B”for2tolerance. •AEC-Q101qualified •ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECandinaccordanceto	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BZX84B12VLY	文件：1.53225 Mbytes Page：7 Pages	ZenerDiode	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BZX84B12VLYFH	文件：1.53239 Mbytes Page：7 Pages	ZenerDiode	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BZX84B12W	文件：104.14 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES FEATURES •PlanarDieconstruction •200mWPowerDissipation •IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcesses •IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT

产品属性

产品编号：
BZX84B12-TP
制造商：
Micro Commercial Co
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
容差：
±2%
工作温度：
-55°C ~ 150°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23
描述：
DIODE ZENER 12V 350MW SOT23

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