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BZX84-B3V3分立半导体产品的二极管-齐纳-单规格书PDF中文资料

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厂商型号

BZX84-B3V3

参数属性

BZX84-B3V3 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-齐纳-单;产品描述:DIODE ZENER 3.3V 250MW TO236AB

功能描述

300mW SOT-23 ZENER DIODES

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

373.44 Kbytes

页面数量

3

生产厂商

DAESAN

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更新时间

2025-12-14 23:01:00

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BZX84-B3V3规格书详情

Vz Range 2.4 to 75V Power Dissipation 300mW

特性 Features

• Silicon P lanar Power Zener Diodes

• The Zener voltages are graded according to the international E 24 standard. S tandard Zener voltage tolerance is ±5. R eplace C with B for ±2 tolerance. Other voltage tolerances and other Zener voltages are available upon request.

• Silicon E pitaxial P lanar Diode

• Fast switching diode in case S OT-23, especially suited for automatic insertion.

产品属性

  • 产品编号:

    BZX84-B3V3,215

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 容差:

    ±2%

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    TO-236AB

  • 描述:

    DIODE ZENER 3.3V 250MW TO236AB

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