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BZX55B13	文件：133.63 Kbytes Page：2 Pages	Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes 文件：133.63 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BZX55B13	文件：103.18 Kbytes Page：7 Pages	Small Signal Zener Diodes 文件：103.18 Kbytes 页数：7 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
BZX55B13	文件：228.59 Kbytes Page：5 Pages	2 Tolerance Zener Diode 文件：228.59 Kbytes 页数：5 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
BZX55B130	文件：168.81 Kbytes Page：2 Pages	SILICON PLANAR ZENER DIODES SILICON PLANAR ZENER DIODES 文件：168.81 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BZX55B13 A0G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-204AH，DO-35，轴向；包装：带盒（TB）类别：分立半导体产品二极管 - 齐纳 - 单描述：DIODE ZENER 13V 500MW DO35	TSC 台湾半导体	TSC
BZX55B13-TAP	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-204AH，DO-35，轴向；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 齐纳 - 单描述：DIODE ZENER 13V 500MW DO35	Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
BZX55B13-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-204AH，DO-35，轴向；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 齐纳 - 单描述：DIODE ZENER 13V 500MW DO35	Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division

详细参数

型号：
BZX55B13
功能描述：
稳压二极管 Zener 500mW 13v
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
齐纳电压：
12 V
电压容差：
5 %
电压温度系数：
0.075 %/K
功率耗散：
3 W
最大反向漏泄电流：
3 uA
最大齐纳阻抗：
7 Ohms
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
DO-214AC
封装：
Reel

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