BZX384-C2V7
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BZX30功能描述:SILICON EPITAXIAL PLANAR TYPE
BZX33功能描述:SILICON EPITAXIAL PLANAR TYPE
BZX384B10-HE3-18制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:ZENER DIODE SOD323
BZX384B10-V-GS08功能描述:稳压二极管 10 Volt 0.2W 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
BZX384B10-V-GS18功能描述:稳压二极管 10 Volt 0.2W 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
BZX384-B11 T/R功能描述:稳压二极管 DIODE ZENER 2 PCT TAPE-7 RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
BZX384-B11,115功能描述:稳压二极管 DIODE ZENER 2 PCT RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
BZX384-B11115制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE ZENER 11V 300MW SOD- 制造商:NXP 功能描述:
BZX384B11-E3-08制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:ZENER DIODE SOD323
BZX384B11-E3-18制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:ZENER DIODE SOD323
