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BZG04-28	文件：375.03 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
BZW04-28	文件：3.83248 Mbytes Page：4 Pages	TransientVoltageSuppressors FEATURES •Glasspassivatedchipjunction •Availableinuni-directionalandbi-directional •400Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000µswaveform,repetitiverate(dutycycle):0.01 •Excellentclampingcapability •Veryfastresponsetime •Lowincrementalsurgeresist	TAYCHIPSTShenzhen Taychipst Electronic Co., Ltd 泰迪斯电子深圳市泰迪斯电子科技有限公司	TAYCHIPST
BZW04-28	文件：509.04 Kbytes Page：4 Pages	AXIALLEADEDTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSORSDIODES	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
BZW04-28	文件：209.54 Kbytes Page：6 Pages	TransientVoltageSuppressor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
BZW04-28	文件：124.48 Kbytes Page：6 Pages	PEAKPULSEPOWER:400W(10/1000ms) DESCRIPTION Transildiodesprovidehighovervoltageprotectionbyclampingaction.TheirinstantaneousresponsetotransientovervoltagesmakesthemparticularlysuitedtoprotectvoltagesensitivedevicessuchasMOSTechnologyandlowvoltagesuppliedIC’s. FEATURES ■PEAKPULSEPOWER:400W	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
BZW04-28	文件：3.73284 Mbytes Page：3 Pages	Voltageregulatordides FEATURES ■PEAKPULSEPOWER:400W(10/1000µs) ■STAND-OFFVOLTAGERANGE:From5.8Vto376V ■UNIANDBIDIRECTIONALTYPES ■LOWCLAMPINGFACTOR ■FASTRESPONSETIME ■ULRECOGNIZED	TAYCHIPSTShenzhen Taychipst Electronic Co., Ltd 泰迪斯电子深圳市泰迪斯电子科技有限公司	TAYCHIPST
BZW04-28	文件：105.84 Kbytes Page：6 Pages	TRANSZORB®TransientVoltageSuppressors FEATURES •Glasspassivatedchipjunction •Availableinuni-directionalandbi-directional •400Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000μswaveform,repetitiverate(dutycycle):0.01 •Excellentclampingcapability •Veryfastresponsetime •Lowincrementalsurgeresistance •Sold	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BZW04-28	文件：189.68 Kbytes Page：4 Pages	TransientVoltageSuppressor BREAKDOWNVOLTAGE:5.8---376VPEAKPULSEPOWER:400W Features ♦Plasticpackagehasunderwriterslaboratoryflammabilityclassification94V-0 ♦Glasspassivatedjunction ♦400Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000μswaveform,repetitionrate(dutycycle):0.01 ♦Excellen	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
BZW04-28	文件：262.36 Kbytes Page：6 Pages	400WattsTransientVoltageSuppressor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
BZW04-28	文件：189.68 Kbytes Page：4 Pages	TransientVoltageSuppressor BREAKDOWNVOLTAGE:5.8---376VPEAKPULSEPOWER:400W Features ♦Plasticpackagehasunderwriterslaboratoryflammabilityclassification94V-0 ♦Glasspassivatedjunction ♦400Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000μswaveform,repetitionrate(dutycycle):0.01 ♦Excellen	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
BZW04-28	文件：55.6 Kbytes Page：4 Pages	TRANSZORB??TRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR Stand-offVoltage-5.8to376VoltsPeakPulsePower-400Watts FEATURES ♦PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0 ♦Glasspassivatedchipjunction ♦400Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000µswaveform, repetitionrate(dutycycle):0.0	GE GE Industrial Company	GE
BZW04-28	文件：143.89 Kbytes Page：3 Pages	UnidirectionalandbidirectionalTransientVoltageSuppressorDiodes UnidirectionalandbidirectionalTransientVoltageSuppressorDiodes •Peakpulsepowerdissipation400W •NominalStand-offvoltage5.8...376V •PlasticcaseDO-15(DO-204AC) •Weightapprox	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
BZW04-28	文件：149.38 Kbytes Page：3 Pages	UnidirectionalandbidirectionalTransientVoltageSuppressordiodes PulsePowerDissipation:400W MaximumStand-offvoltage:5,8...376V Features ●Max.soldertemperature:260°C ●PlasticmaterialhasULclassification94V0 ●Forbidirectionaltypes(suffixB), electricalcharacteristicsapplyinbothdirections ●Thestandardtoleranceofthe brea	SemikronSemikron 赛米控	Semikron
BZW04-28	文件：293.43 Kbytes Page：1 Pages	MINITYPELEDLAMPS	DBLECTRODB Lectro Inc 迪贝电子迪贝电子（上海）有限公司	DBLECTRO
BZW04-28	文件：130.979 Kbytes Page：6 Pages	TRANSIL DESCRIPTION Transildiodesprovidehighovervoltageprotectionbyclampingaction.TheirinstantaneousresponsetotransientovervoltagesmakesthemparticularlysuitedtoprotectvoltagesensitivedevicessuchasMOSTechnologyandlowvoltagesuppliedIC’s. FEATURES ■PEAKPULSEPOWER:400W	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
BZW04-28	文件：113.51 Kbytes Page：4 Pages	TRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR BREAKDOWNVOLTAGE:5.8---376VPEAKPULSEPOWER:400W FEATURES ♦Plasticpackagehasunderwriterslaboratoryflammabilityclassification94V-0 ♦Glasspassivatedjunction ♦400Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000μswaveform,repetitionrate(dutycycle):0.01 ♦Excellentclampingc	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BZW04-28	文件：114.61 Kbytes Page：3 Pages	UnidirectionalandbidirectionalTransientVoltageSuppressorDiodes	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
BZW04-28	文件：393.28 Kbytes Page：6 Pages	TransZorbTransientVoltageSuppressors	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BZW04-28	文件：614.13 Kbytes Page：4 Pages	400WattsTransientVoltageSuppressor Features ◇PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 ◇ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-STD-19500 ◇400Wsurgecapabilityat10x1000uswaveform ◇Excellentclampingcapability ◇Lowimpedancesurgeresistance ◇Veryfastresponsetime ◇TypicalI	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
BZW04-28	文件：51.53 Kbytes Page：4 Pages	TRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR VBR:6.8-440Volts PPK:400Watts FEATURES: 400Wsurgecapabilityat1ms Excellentclampingcapability Lowzenerimpedance Fastresponsetime:typicallylessthen1.0psfrom0volttoVBR(min) *TypicalIRlessthen1mAabove10V	EIC EIC	EIC

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更多BZW04-28B-AMP供应商更新时间2024-6-14 11:30:00

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