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BZV85-C30分立半导体产品二极管-齐纳-单规格书PDF中文资料

BZV85-C30
厂商型号

BZV85-C30

参数属性

BZV85-C30 封装/外壳为DO-204AL,DO-41,轴向;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单;产品描述:DIODE ZENER 30V 1.3W DO41

功能描述

Voltage regulator diodes
DIODE ZENER 30V 1.3W DO41

文件大小

1.78746 Mbytes

页面数量

10

生产厂商 Nexperia B.V. All rights reserved
企业简称

NEXPERIA安世

中文名称

安世半导体(中国)有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-23 23:00:00

BZV85-C30规格书详情

Features

* Total power dissipation: max. 1.3 W

* Working voltage range:

nominal 3.3 V to 75 V (E24 range)

* Small hermetically sealed glass

package

* Tolerance series: approximately ±5

* Non-repetitive peak reverse power

dissipation: max. 60 W

BZV85-C30属于分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单。安世半导体(中国)有限公司制造生产的BZV85-C30二极管 - 齐纳 - 单齐纳二极管可用于以反向击穿模式工作,并根据以这种方式使用时的行为来分类。这些器件可用作电压基准或限压用途,还可以用作类似于整流二极管的单向电流阀,但它们在这种模式下的性能通常不如专用器件理想。该系列产品的每个器件封装恰好实现该功能的一个实例。

产品属性

  • 产品编号:

    BZV85-C30,133

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 容差:

    ±5%

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    DO-204AL,DO-41,轴向

  • 供应商器件封装:

    DO-41

  • 描述:

    DIODE ZENER 30V 1.3W DO41

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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