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BZT52B8V2-G分立半导体产品的二极管-齐纳-单规格书PDF中文资料

BZT52B8V2-G
厂商型号

BZT52B8V2-G

参数属性

BZT52B8V2-G 封装/外壳为SOD-123;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的二极管-齐纳-单;产品描述:DIODE ZENER 8.2V 410MW SOD123

功能描述

AEC-Q101 qualified

封装外壳

SOD-123

文件大小

128.02 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Vishay Siliconix
企业简称

Vishay威世科技

中文名称

威世科技半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-24 16:01:00

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BZT52B8V2-G规格书详情

FEATURES

• Silicon planar power Zener diodes

• The Zener voltages are graded according to the international E24 standard

• AEC-Q101 qualified available  (part number on request)

• ESD capability according to AEC-Q101:

Human body model > 8 kV

Machine model > 800 V

• Base P/N-G3 - green, commercial grade

• Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912

产品属性

  • 产品编号:

    BZT52B8V2-G3-08

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单

  • 系列:

    BZT52-G

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 容差:

    ±2%

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SOD-123

  • 供应商器件封装:

    SOD-123

  • 描述:

    DIODE ZENER 8.2V 410MW SOD123

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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