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BZT52B13-G分立半导体产品的二极管-齐纳-单规格书PDF中文资料

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厂商型号

BZT52B13-G

参数属性

BZT52B13-G 封装/外壳为SOD-123;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的二极管-齐纳-单;产品描述:DIODE ZENER 13V 410MW SOD123

功能描述

2 Zener Voltage Tolerance Zener Diode
DIODE ZENER 13V 410MW SOD123

封装外壳

SOD-123

文件大小

199.87 Kbytes

页面数量

6

生产厂商

TSC

中文名称

台湾半导体

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更新时间

2025-10-31 23:00:00

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BZT52B13-G规格书详情

BZT52B13-G属于分立半导体产品的二极管-齐纳-单。由台湾半导体股份有限公司制造生产的BZT52B13-G二极管 - 齐纳 - 单齐纳二极管可用于以反向击穿模式工作,并根据以这种方式使用时的行为来分类。这些器件可用作电压基准或限压用途,还可以用作类似于整流二极管的单向电流阀,但它们在这种模式下的性能通常不如专用器件理想。该系列产品的每个器件封装恰好实现该功能的一个实例。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    BZT52B13-G RHG

  • 制造商:

    Taiwan Semiconductor Corporation

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 容差:

    ±2%

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SOD-123

  • 供应商器件封装:

    SOD-123

  • 描述:

    DIODE ZENER 13V 410MW SOD123

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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