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BZT52-C2V4	文件：81.93 Kbytes Page：5 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES FEATURES •PlanarDieconstruction •410mWPowerDissipation •ZenerVoltagesfrom2.4~75V •IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcesses •IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
BZT52-C2V4	文件：531.93 Kbytes Page：5 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES FEATURES •PlanarDieconstruction •410mWPowerDissipation •ZenerVoltagesfrom2.4~39V •IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcesses •Pbfreeproductareavailable:99SnabovecanmeetRoHSenvironmentsubstancedirectiverequest	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
BZT52-C2V4	文件：110.66 Kbytes Page：5 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
BZT52-C2V4	文件：78 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
BZT52-C2V4	文件：386.99 Kbytes Page：8 Pages	ZENERDIODES FEATURES ♦SiliconPlanarPowerZenerDiodes ♦TheZenervoltagesaregradedaccordingtotheinternationalE24standard.StandardZenervoltagetoleranceis±5.Replacesuffix“C”with“B”for±2tolerance.OthertolerancesandotherZenervoltagesareavailableuponrequest. ♦Thesediodesa	GE GE Industrial Company	GE
BZT52-C2V4	文件：198.54 Kbytes Page：13 Pages	SingleZenerdiodesinaSOD123package 1.1Generaldescription General-purposeZenerdiodesinaSOD123smallSurface-MountedDevice(SMD) plasticpackage. 1.2Featuresandbenefits •Totalpowerdissipation:≤590mW •Wideworkingvoltagerange:nominal2.4Vto75V(E24range) •Smallplasticpackagesuitableforsurface-mo	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BZT52-C2V4-AU	文件：318 Kbytes Page：6 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES VOLTAGE2.4to75VoltsPOWER410mWatts FEATURES •PlanarDieconstruction •410mWPowerDissipation •ZenerVoltagesfrom2.4~75V •IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcesses •Acqirequalitysystemcertificate:TS16949 •AEC-Q101qualified •Leadfreeincomplyw	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
BZT52-C2V4S	文件：78.7 Kbytes Page：5 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES VOLTAGE2.4to75VoltsPOWER200mWatts FEATURES •PlanarDieconstruction •200mWPowerDissipation •ZenerVoltagesfrom2.4~75V •IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcesses •IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
BZT52-C2V4S	文件：303.43 Kbytes Page：3 Pages	200mWSURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES2.4V~51VSOD-323PACKAGE FEATURES •PlanarDieconstruction •200mWPowerDissipation •ZenerVoltagesfrom2.4~51V •IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcesses	WILLASWILLAS electronics corp 威倫威倫电子股份有限公司	WILLAS
BZT52-C2V4S	文件：145.61 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
BZT52-C2V4S	文件：1.44603 Mbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTZENERDIODE Features •PlanarDieConstruction •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •IdeallysuitedforAutomatedAssemblyProcesses	DIOTECH Diotech Company.	DIOTECH
BZT52-C2V4S	文件：116.25 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES FEATURES •PlanarDieconstruction •200mWPowerDissipation •ZenerVoltagesfrom2.4~39V •IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcesses •BothnormalandPbfreeproductareavailable: Normal:80~95Sn,5~20Pb Pbfree:98.5Snabove	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
BZT52-C2V4S	文件：80.23 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
BZT52-C2V4S-AU	文件：79.33 Kbytes Page：6 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES VOLTAGE2.4to75VoltsPOWER200mWatts FEATURES •PlanarDieconstruction •200mWPowerDissipation •ZenerVoltagesfrom2.4~75V •IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcesses •IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives VOLTAGE2.4to75VoltsPOWER200mWatts	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT

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